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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体激光元件 专利  OAI收割 专利号: CN109787087A, 申请日期: 2019-05-21, 公开日期: 2019-05-21 作者:  驹田聪;  津田有三   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18 作者:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/23 氮化物半导体激光元件 专利  OAI收割 专利号: CN102084560A, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01 作者:  太田征孝;  伊藤茂稔;  津田有三;  麦华路巴武吕;  高桥幸司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2009059797A, 申请日期: 2009-03-19, 公开日期: 2009-03-19 作者:  太田 征孝;  津田 有三   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2007027181A, 申请日期: 2007-02-01, 公开日期: 2007-02-01 作者:  高倉 輝芳;  津田 有三   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/30 制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件 专利  OAI收割 专利号: CN1758419A, 申请日期: 2006-04-12, 公开日期: 2006-04-12 作者:  荒木正浩;  山田英司;  汤浅贵之;  津田有三;  阿久津仲男   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 氮化物半导体激光器件 专利  OAI收割 专利号: CN1702927A, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2005-11-30 作者:  津田有三;  花冈大介;  石田真也   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 III-V族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2005093936A, 申请日期: 2005-04-07, 公开日期: 2005-04-07 作者:  津田 有三;  毛利 裕一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP2002217498A, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-08-02 作者:  津田 有三;  湯浅 貴之;  伊藤 茂稔;  種谷 元隆;  山崎 幸生   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体発光素子、光ピックアップ装置、および、発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2002158405A, 申请日期: 2002-05-31, 公开日期: 2002-05-31 作者:  津田 有三;  伊藤 茂稔   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31