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机构
西安光学精密机械研... [11]
采集方式
OAI收割 [11]
内容类型
专利 [11]
发表日期
2003 [2]
2001 [2]
1997 [1]
1994 [2]
1993 [4]
学科主题
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浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
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面発光型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3467593B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-17
作者:
森 克己
;
浅賀 達也
;
岩野 英明
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提交时间:2020/01/13
面発光型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3395194B2, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-04-07
作者:
森 克己
;
浅賀 達也
;
岩野 英明
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提交时间:2020/01/13
面発光型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3240636B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-17
作者:
森 克己
;
浅賀 達也
;
岩野 英明
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ及び半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3200916B2, 申请日期: 2001-06-22, 公开日期: 2001-08-20
作者:
浅賀 達也
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提交时间:2019/12/23
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2629722B2, 申请日期: 1997-04-18, 公开日期: 1997-07-16
作者:
浅賀 達也
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提交时间:2020/01/13
面発光型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1994283818A, 申请日期: 1994-10-07, 公开日期: 1994-10-07
作者:
森 克己
;
浅賀 達也
;
岩野 英明
;
近藤 貴幸
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1994125143A, 申请日期: 1994-05-06, 公开日期: 1994-05-06
作者:
浅賀 達也
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1993190977A, 申请日期: 1993-07-30, 公开日期: 1993-07-30
作者:
浅賀 達也
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1993190976A, 申请日期: 1993-07-30, 公开日期: 1993-07-30
作者:
浅賀 達也
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提交时间:2020/01/18
光素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993021815A, 申请日期: 1993-01-29, 公开日期: 1993-01-29
作者:
浅賀 達也
;
渡辺 和昭
;
岩野 英明
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提交时间:2020/01/13