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• 西安光学精密机械研究... [9]

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• 2017 [1]
• 2010 [1]
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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体装置 专利  OAI收割 专利号: CN106486888A, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2017-03-08 作者:  深谷一夫   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光器以及制造半导体激光器的方法 专利  OAI收割 专利号: CN101820135A, 申请日期: 2010-09-01, 公开日期: 2010-09-01 作者:  多田健太郎;  远藤健司;  深谷一夫;  奥田哲朗;  小林正英   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 窓型半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000323789A, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2000-11-24 作者:  深谷 一夫   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザとその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2712970B2, 申请日期: 1997-10-31, 公开日期: 1998-02-16 作者:  深谷 一夫   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2687694B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08 作者:  深谷 一夫   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997199784A, 申请日期: 1997-07-31, 公开日期: 1997-07-31 作者:  深谷 一夫   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 分布帰還型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2630273B2, 申请日期: 1997-04-18, 公开日期: 1997-07-16 作者:  深谷 一夫   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995045909A, 申请日期: 1995-02-14, 公开日期: 1995-02-14 作者:  深谷 一夫;  石川 信   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザアレイとその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994053595A, 申请日期: 1994-02-25, 公开日期: 1994-02-25 作者:  深谷 一夫   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18