机构

• 西安光学精密机械研... [12]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 专利 [12]

发表日期

• 2014 [1]
• 1996 [4]
• 1995 [3]
• 1994 [4]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 光源装置及び投写型表示装置 专利  OAI收割 专利号: JP2014112124A, 申请日期: 2014-06-19, 公开日期: 2014-06-19 作者:  田中 雅人;  中溝 篤;  難波 修;  奥田 倫弘   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レ-ザ 专利  OAI收割 专利号: JP2584606B2, 申请日期: 1996-11-21, 公开日期: 1997-02-26 作者:  田中 治夫;  虫上 雅人   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レ-ザ 专利  OAI收割 专利号: JP2584607B2, 申请日期: 1996-11-21, 公开日期: 1997-02-26 作者:  田中 治夫;  虫上 雅人   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/13 面発光レ-ザ 专利  OAI收割 专利号: JP2574670B2, 申请日期: 1996-10-24, 公开日期: 1997-01-22 作者:  田中 治夫;  虫上 雅人   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996264906A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11 作者:  田中 治夫;  中田 直太郎;  虫上 雅人;  石田 ▲祐▼士;  深田 速水   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995263800A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13 作者:  田中 治夫;  中田 直太郎;  虫上 雅人;  石田 ▲祐▼士;  深田 速水   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995240563A, 申请日期: 1995-09-12, 公开日期: 1995-09-12 作者:  田中 治夫;  中田 直太郎;  虫上 雅人   |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995044307B2, 申请日期: 1995-05-15, 公开日期: 1995-05-15 作者:  田中 治夫;  中田 直太郎;  虫上 雅人   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レ-ザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994095583B2, 申请日期: 1994-11-24, 公开日期: 1994-11-24 作者:  虫上 雅人;  田中 治夫;  深田 速水   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994056911B2, 申请日期: 1994-07-27, 公开日期: 1994-07-27 作者:  ▲崎▼山 肇;  田中 治夫;  虫上 雅人   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13