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氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利  OAI收割
专利号: CN103199433A, 申请日期: 2013-07-10, 公开日期: 2013-07-10
作者:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18
氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利  OAI收割
专利号: CN101809833B, 申请日期: 2012-05-30, 公开日期: 2012-05-30
作者:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26
半导体激光装置及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1744398B, 申请日期: 2012-02-15, 公开日期: 2012-02-15
作者:  畑雅幸;  别所靖之;  野村康彦;  庄野昌幸
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13
半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101276990B, 申请日期: 2012-02-01, 公开日期: 2012-02-01
作者:  畑雅幸;  竹内邦生;  德永诚一
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24
半导体激光装置 专利  OAI收割
专利号: CN101478116B, 申请日期: 2012-01-25, 公开日期: 2012-01-25
作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
半导体激光元件 专利  OAI收割
专利号: CN101355232B, 申请日期: 2012-01-11, 公开日期: 2012-01-11
作者:  广山良治;  野村康彦;  畑雅幸;  三宅泰人
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
半导体激光装置和其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101272035B, 申请日期: 2011-12-14, 公开日期: 2011-12-14
作者:  中岛三郎;  野村康彦;  畑雅幸;  后藤壮谦
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体レーザ装置および光装置 专利  OAI收割
专利号: JP2011243600A, 申请日期: 2011-12-01, 公开日期: 2011-12-01
作者:  林 伸彦;  畑 雅幸
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31
半导体激光装置和显示装置 专利  OAI收割
专利号: CN102227853A, 申请日期: 2011-10-26, 公开日期: 2011-10-26
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2020/01/18
半导体激光装置和显示装置 专利  OAI收割
专利号: CN102171899A, 申请日期: 2011-08-31, 公开日期: 2011-08-31
作者:  畑雅幸;  久纳康光;  野村康彦;  中岛三郎
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31