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机构
半导体研究所 [10]
国家天文台 [1]
采集方式
OAI收割 [9]
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [7]
专利 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2020 [1]
2011 [2]
2010 [3]
2009 [2]
学科主题
光电子学 [5]
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浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
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Prospects for a multi-TeV gamma-ray sky survey with the LHAASO water Cherenkov detector array
期刊论文
OAI收割
中国物理C:英文版, 2020, 卷号: 44.0, 期号: 006, 页码: 123
作者:
FAharonian
;
VAlekseenko
;
An Q(安琪)
;
Axikegu
;
Bai LX(白立新)
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2021/12/06
TeVγ-ray
astronomy
observational
prospect
LHAASO-WCDA
Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 028101-1-028101-5
作者:
苏少坚
;
汪巍
;
张广泽
;
左玉华
;
薛春来
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2011/08/16
新型Si基纳米阵列结构及其光电特性
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
白安琪
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2011/06/03
Fabrication of silicon-based template-assisted nanoelectrode arrays and ohmic contact properties investigation
期刊论文
iSwitch采集
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 7428-7431
作者:
Bai, Anqi
;
Cheng, Buwen
;
Wang, Xiaofeng
;
Xue, Chunlai
;
Zuo, Yuhua
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Nanoelectrode arrays
Paa
Electroless deposition
Sem
I-v
硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管
期刊论文
OAI收割
激光与光电子学进展, 2010, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 14-14
作者:
苏少坚
;
薛春来
;
胡炜玄
;
成步文
;
薛海韵
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2011/08/16
Fabrication of Silicon-Based Template-Assisted Nanoelectrode Arrays and Ohmic Contact Properties Investigation
期刊论文
OAI收割
journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7428-7431
Bai AQ (Bai Anqi)
;
Cheng BW (Cheng Buwen)
;
Wang XF (Wang Xiaofeng)
;
Xue CL (Xue Chunlai)
;
Zuo YH (Zuo Yuhua)
;
Wang QM (Wang Qiming)
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/11/30
ANODIC ALUMINA FILMS
NANOWIRE ARRAYS
POROUS ALUMINA
NANOCRYSTALS
Electroluminescence from ge on si substrate at room temperature
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: 3
作者:
Hu, Weixuan
;
Cheng, Buwen
;
Xue, Chunlai
;
Xue, Haiyun
;
Su, Shaojian
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2019/05/12
用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 7, 页码: 4997-5001
作者:
苏少坚
;
白安琪
;
胡炜玄
;
樊中朝
;
成步文
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
半导体纳米柱阵列结构的制作方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183395.5, 公开日期: 2011-08-30
白安琪
;
成步文
;
左玉华
;
王启明
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2011/08/30
在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
苏少坚
;
汪巍
;
成步文
;
王启明
;
张广泽
;
胡炜玄
;
白安琪
;
薛春来
;
左玉华
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浏览/下载:219/0
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提交时间:2011/08/30