中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共8条,第1-8条 帮助

条数/页: 排序方式:
半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP3557644B2, 申请日期: 2004-05-28, 公开日期: 2004-08-25
作者:  
奥山 浩之;  秋本 克洋;  石橋 晃;  白石 誠司;  伊藤 哲
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998303507A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13
作者:  
白石 誠司;  石橋 晃
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998294494A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
作者:  
戸田 淳;  石橋 晃;  白石 誠司;  野口 裕泰;  左中 由美
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998022587A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23
作者:  
河角 孝行;  白石 誠司;  奥山 浩之;  中野 一志
  |  收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997321387A, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1997-12-12
作者:  
白石 誠司
  |  收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/18
II-VI族化合物半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996018161A, 申请日期: 1996-01-19, 公开日期: 1996-01-19
作者:  
池田 昌夫;  塚本 弘範;  谷口 理;  伊藤 哲;  白石 誠司
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31
II-VI族化合物半導体の成長方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995273054A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20
作者:  
石橋 晃;  伊藤 哲;  松元 理;  白石 誠司;  湊屋 理佳子
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1995111368A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
作者:  
白石 誠司;  浮田 昌一
  |  收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/13