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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ素子、窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザデバイス 专利  OAI收割 专利号: JP2014022379A, 申请日期: 2014-02-03, 公开日期: 2014-02-03 作者:  川上 俊之;  神川 剛   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体レーザ素子、およびそれを用いた光ディスク装置ならびに画像表示装置 专利  OAI收割 专利号: JP2011238749A, 申请日期: 2011-11-24, 公开日期: 2011-11-24 作者:  川口 佳伸;  神川 剛   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法、ならびに光ディスク装置、および画像表示装置 专利  OAI收割 专利号: JP2011228350A, 申请日期: 2011-11-10, 公开日期: 2011-11-10 作者:  川口 佳伸;  神川 剛   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18 作者:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/23 窒化物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2009194150A, 申请日期: 2009-08-27, 公开日期: 2009-08-27 作者:  神川 剛;  川口 佳伸   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2008263247A, 申请日期: 2008-10-30, 公开日期: 2008-10-30 作者:  神川 剛;  川口 佳伸   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2008147363A, 申请日期: 2008-06-26, 公开日期: 2008-06-26 作者:  神川 剛;  川口 佳伸   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2007173581A, 申请日期: 2007-07-05, 公开日期: 2007-07-05 作者:  山本 秀一郎;  神川 剛;  川口 佳伸   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2003092450A, 申请日期: 2003-03-28, 公开日期: 2003-03-28 作者:  神川 剛;  石田 真也;  伊藤 茂稔   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000196143A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14 作者:  種谷 元隆;  神川 剛;  毛利 裕一;  近藤 雅文;  山田 英司   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18