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学科主题

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浏览/检索结果: 共77条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 面向16/14nm节点高性能P-FinFET锗硅源漏集成工艺与器件特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院大学, 2019 作者:  秦长亮   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/09/05 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11 作者:  秦长亮;  王桂磊;  洪培真;  尹海洲;  殷华湘   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/03/26 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310269697.8, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-12-31 作者:  秦长亮;  徐强;  洪培真;  殷华湘;  尹海洲   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/03/26 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310309151.0, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2015-02-04 作者:  秦长亮;  尹海洲;  唐兆云;  李俊峰;  赵超   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/03/22 鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410681974.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-06-22 作者:  秦长亮;  殷华湘;  李俊峰;  赵超   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/22 鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410681972.1, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-06-22 作者:  秦长亮;  殷华湘;  李俊峰;  赵超   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/03/22 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210392511.3, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2014-04-16 作者:  殷华湘   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/03/21 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410454224.X, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-04-06 作者:  殷华湘;  秦长亮;  马小龙;  王桂磊;  朱慧珑   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/03/21 堆叠纳米线制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310007063.5, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2014-07-09 作者:  殷华湘;  马小龙;  秦长亮   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/03/21 鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410525045.0, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2016-05-11 作者:  殷华湘;  秦长亮;  马小龙;  王桂磊;  朱慧珑   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/03/21