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• 西安光学精密机械研... [10]

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101276990B, 申请日期: 2012-02-01, 公开日期: 2012-02-01 作者:  畑雅幸;  竹内邦生;  德永诚一   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101960683A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26 作者:  竹内邦生;  久纳康光;  畑雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/13 集成型半导体激光元件及其制造方法和光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101938087A, 申请日期: 2011-01-05, 公开日期: 2011-01-05 作者:  畑雅幸;  竹内邦生   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置 专利  OAI收割 专利号: CN101789562A, 申请日期: 2010-07-28, 公开日期: 2010-07-28 作者:  别所靖之;  大保广树;  竹内邦生;  德永诚一;  久纳康光   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2010067868A, 申请日期: 2010-03-25, 公开日期: 2010-03-25 作者:  畑 雅幸;  竹内 邦生;  太田 潔   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2009123939A, 申请日期: 2009-06-04, 公开日期: 2009-06-04 作者:  別所 靖之;  竹内 邦生;  久納 康光   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2008294421A, 申请日期: 2008-12-04, 公开日期: 2008-12-04 作者:  竹内 邦生;  久納 康光;  畑 雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物系半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2008294379A, 申请日期: 2008-12-04, 公开日期: 2008-12-04 作者:  久納 康光;  竹内 邦生   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1215620C, 申请日期: 2005-08-17, 公开日期: 2005-08-17 作者:  竹内邦生;  广山良治;  冈本重之;  富永浩司;  野村康彦   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光元件 专利  OAI收割 专利号: CN1182637C, 申请日期: 2004-12-29, 公开日期: 2004-12-29 作者:  井上大二朗;  广山良治;  竹内邦生;  野村康彦;  畑雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13