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机构
西安光学精密机械研... [10]
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OAI收割 [10]
内容类型
专利 [10]
发表日期
2002 [1]
1998 [2]
1997 [1]
1996 [1]
1994 [3]
1993 [2]
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半導体レーザ素子とその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3291431B2, 申请日期: 2002-03-22, 公开日期: 2002-06-10
作者:
▲広▼山 良治
;
上谷 ▲高▼弘
;
太田 潔
;
米田 幸司
;
庄野 昌幸
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2804533B2, 申请日期: 1998-07-17, 公开日期: 1998-09-30
作者:
別所 靖之
;
米田 幸司
;
吉年 慶一
;
山口 隆夫
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子及び光学記録媒体駆動装置
专利
OAI收割
专利号: JP1998135569A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
作者:
庄野 昌幸
;
▲広▼山 良治
;
米田 幸司
;
西田 豊三
;
別所 靖之
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1997321385A, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1997-12-12
作者:
▲広▼山 良治
;
上谷 ▲高▼弘
;
太田 潔
;
米田 幸司
;
庄野 昌幸
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提交时间:2020/01/13
半導体レ—ザ
专利
OAI收割
专利号: JP2538258B2, 申请日期: 1996-07-08, 公开日期: 1996-09-25
作者:
米田 幸司
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994169134A, 申请日期: 1994-06-14, 公开日期: 1994-06-14
作者:
米田 幸司
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1994152051A, 申请日期: 1994-05-31, 公开日期: 1994-05-31
作者:
米田 幸司
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1994005974A, 申请日期: 1994-01-14, 公开日期: 1994-01-14
作者:
米田 幸司
;
井上 泰明
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1993190971A, 申请日期: 1993-07-30, 公开日期: 1993-07-30
作者:
田尻 敦志
;
田渕 規夫
;
米田 幸司
;
吉年 慶一
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993021906A, 申请日期: 1993-01-29, 公开日期: 1993-01-29
作者:
米田 幸司
;
田渕 規夫
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提交时间:2020/01/13