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浏览/检索结果: 共67条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 双波长半导体激光装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101394065B, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2011-11-16 作者:  粂雅博;  高山彻;  高须贺祥一;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2010021342A, 申请日期: 2010-01-28, 公开日期: 2010-01-28 作者:  村沢 智;  高山 徹;  粂 雅博   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2009283511A, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03 作者:  佐藤 智也;  高山 徹;  粂 雅博;  木戸口 勲   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 双波长半导体激光器装置 专利  OAI收割 专利号: CN101533991A, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 2009-09-16 作者:  早川功二;  高山彻;  粂雅博;  佐藤智也;  木户口勋   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN1855649A, 申请日期: 2006-11-01, 公开日期: 2006-11-01 作者:  粂雅博;  岛本敏孝;  木户口勋;  宇野智昭   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3792003B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28 作者:  上村 信行;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  原 義博;  木戸口 勲   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1170347C, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2004-10-06 作者:  木户口勋;  石桥明彦;  粂雅博;  伴雄三郎;  上山智   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 波长变换波导式激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN1116724C, 申请日期: 2003-07-30, 公开日期: 2003-07-30 作者:  永井秀男;  高山徹;  粂雅博;  吉川昭男   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置 专利  OAI收割 专利号: JP2003133648A, 申请日期: 2003-05-09, 公开日期: 2003-05-09 作者:  粂 雅博;  木戸口 勲;  伴 雄三郎;  宮永 良子;  鈴木 政勝   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2002305348A, 申请日期: 2002-10-18, 公开日期: 2002-10-18 作者:  菅原 岳;  木戸口 勲;  宮永 良子;  鈴木 政勝;  粂 雅博   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13