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浏览/检索结果: 共58条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光器元件 专利  OAI收割 专利号: CN106030939A, 申请日期: 2016-10-12, 公开日期: 2016-10-12 作者:  岩见正之;  石井宏辰;  岩井则广;  松田竹善;  粕川秋彦   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2009088230A, 申请日期: 2009-04-23, 公开日期: 2009-04-23 作者:  品川 達志;  石井 宏辰;  粕川 秋彦   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2009032985A, 申请日期: 2009-02-12, 公开日期: 2009-02-12 作者:  品川 達志;  石井 宏辰;  粕川 秋彦   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2006303521A, 申请日期: 2006-11-02, 公开日期: 2006-11-02 作者:  舟橋 政樹;  谷津 亮介;  粕川 秋彦   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2006245605A, 申请日期: 2006-09-14, 公开日期: 2006-09-14 作者:  舟橋 政樹;  谷津 亮介;  粕川 秋彦   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 具有载流子耗尽层的光学装置 专利  OAI收割 专利号: CN1487334A, 申请日期: 2004-04-07, 公开日期: 2004-04-07 作者:  池田成明;  山口武治;  荒川智志;  山中信光;  粕川秋彦   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3276674B2, 申请日期: 2002-02-08, 公开日期: 2002-04-22 作者:  岩井 則広;  粕川 秋彦   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2001144371A, 申请日期: 2001-05-25, 公开日期: 2001-05-25 作者:  山口 武治;  向原 智一;  粕川 秋彦   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2001111169A, 申请日期: 2001-04-20, 公开日期: 2001-04-20 作者:  岩井 則広;  舟橋 政樹;  向原 智一;  粕川 秋彦   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000236141A, 申请日期: 2000-08-29, 公开日期: 2000-08-29 作者:  山口 武治;  向原 智一;  粕川 秋彦   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13