机构

• 半导体研究所 [20]
• 物理研究所 [3]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [24]

内容类型

• 期刊论文 [24]

发表日期

• 2000 [2]
• 1999 [1]
• 1997 [3]
• 1996 [4]
• 1995 [1]
• 1994 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [19]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 403 范缇文; 吴巨; 王占国 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 369 张砚华; 范缇文; 陈延杰; 吴巨; 陈诺夫; 王占国 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23 分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究 期刊论文  OAI收割 北京科技大学学报, 1999, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 182 白元强; 莫庆伟; 范缇文 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究 期刊论文  OAI收割 发光学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 228 作者:  徐波 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 558 吴巨; 何宏家; 范缇文; 王占国 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs 材料系中有序结构的研究 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 307 范缇文; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：135/25  |  提交时间：2010/11/23 应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank-Read源的关系研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 186 邹吕凡; 王占国; 范缇文 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/23 As＋注入Si1-xGex中应就驰豫的双晶X射线衍射研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 946 邹吕凡; 王占国; 孙殿照; 何沙; 范缇文; 张靖巍 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/23 As＋注入Si（1-x）Gex的快速退火行为 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 717 邹吕凡; 王占国; 孙殿照; 何沙; 范缇文; 刘学锋; 张靖巍 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/11/23 透射电子显微学在半导体材料科学中的应用 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 1996, 卷号: 15, 期号: 2-4, 页码: 183 范缇文; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/23