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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2012 [2]
1996 [1]
1995 [1]
1994 [3]
1993 [2]
学科主题
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浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
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半导体激光器及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101743670B, 申请日期: 2012-07-18, 公开日期: 2012-07-18
作者:
秋山知之
;
菅原充
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提交时间:2020/01/18
光デバイス、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム
专利
OAI收割
专利号: JP2012004267A, 申请日期: 2012-01-05, 公开日期: 2012-01-05
作者:
菅原 悟
;
大泉 充弘
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提交时间:2020/01/13
半導体量子井戸光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1996116128A, 申请日期: 1996-05-07, 公开日期: 1996-05-07
作者:
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提交时间:2020/01/18
短波長発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1995131118A, 申请日期: 1995-05-19, 公开日期: 1995-05-19
作者:
倉又 朗人
;
山崎 進
;
篠原 宏爾
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提交时间:2019/12/31
半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP1994097708B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:
菅原 充
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提交时间:2020/01/13
半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP1994097707B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:
菅原 充
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1994152056A, 申请日期: 1994-05-31, 公开日期: 1994-05-31
作者:
菅原 充
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提交时间:2020/01/13
歪量子井戸型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1993267784A, 申请日期: 1993-10-15, 公开日期: 1993-10-15
作者:
菅原 充
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提交时间:2020/01/13
量子井戸レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1993206575A, 申请日期: 1993-08-13, 公开日期: 1993-08-13
作者:
菅原 充
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提交时间:2020/01/13