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浏览/检索结果: 共28条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2007142227A, 申请日期: 2007-06-07, 公开日期: 2007-06-07 作者:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2007067305A, 申请日期: 2007-03-15, 公开日期: 2007-03-15 作者:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2006287057A, 申请日期: 2006-10-19, 公开日期: 2006-10-19 作者:  能米 雅信;  古川 秀利;  萬濃 正也;  福久 敏哉   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2006287055A, 申请日期: 2006-10-19, 公开日期: 2006-10-19 作者:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置 专利  OAI收割 专利号: HK1017161A1, 申请日期: 2004-04-23, 公开日期: 2004-04-23 作者:  大戶口勳;  足立秀人;  萬濃正也;  福久敏哉;  高森晃   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3521793B2, 申请日期: 2004-02-20, 公开日期: 2004-04-19 作者:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  吉川 昭男   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化ガリウム系半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3353527B2, 申请日期: 2002-09-27, 公开日期: 2002-12-03 作者:  石橋 明彦;  萬濃 正也;  大仲 清司;  武石 英見   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体発光素子及び半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04 作者:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000068610A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03 作者:  足立 秀人;  木戸口 勲;  上山 智;  上野山 雄;  萬濃 正也   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999354895A, 申请日期: 1999-12-24, 公开日期: 1999-12-24 作者:  足立 秀人;  木戸口 勲;  上山 智;  上野山 雄;  萬濃 正也   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31