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• 西安光学精密机械研究... [9]

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• OAI收割 [9]

内容类型

• 专利 [9]

发表日期

• 2005 [1]
• 2000 [2]
• 1999 [1]
• 1998 [1]
• 1996 [1]
• 1995 [3]
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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3718952B2, 申请日期: 2005-09-16, 公开日期: 2005-11-24 作者:  門脇 朋子;  木村 達也;  多田 仁史;  藤原 正敏   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子および製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000151021A, 申请日期: 2000-05-30, 公开日期: 2000-05-30 作者:  藤原 正敏   |  收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000091313A, 申请日期: 2000-03-31, 公开日期: 2000-03-31 作者:  藤原 正敏   |  收藏  |  浏览/下载：178/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999004041A, 申请日期: 1999-01-06, 公开日期: 1999-01-06 作者:  藤原 正敏   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/18 活性層吸収型パルセーション半導体レーザダイオードとその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998256652A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25 作者:  藤原 正敏;  門脇 朋子;  柴田 公隆   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996008394B2, 申请日期: 1996-01-29, 公开日期: 1996-01-29 作者:  武本 彰;  渡辺 斉;  藤原 正敏;  柿本 昇一   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1995176820A, 申请日期: 1995-07-14, 公开日期: 1995-07-14 作者:  鴫原 君男;  藤原 正敏   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 分布帰還型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1995045907A, 申请日期: 1995-02-14, 公开日期: 1995-02-14 作者:  藤原 正敏   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995003909B2, 申请日期: 1995-01-18, 公开日期: 1995-01-18 作者:  藤原 正敏   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13