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机构
西安光学精密机械研... [15]
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
专利 [15]
发表日期
1996 [6]
1995 [3]
1994 [5]
1993 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共15条,第1-10条
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半導体レ-ザ
专利
OAI收割
专利号: JP2584606B2, 申请日期: 1996-11-21, 公开日期: 1997-02-26
作者:
田中 治夫
;
虫上 雅人
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提交时间:2020/01/13
半導体レ-ザ
专利
OAI收割
专利号: JP2584607B2, 申请日期: 1996-11-21, 公开日期: 1997-02-26
作者:
田中 治夫
;
虫上 雅人
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2020/01/13
面発光レ-ザ
专利
OAI收割
专利号: JP2574670B2, 申请日期: 1996-10-24, 公开日期: 1997-01-22
作者:
田中 治夫
;
虫上 雅人
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザおよびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1996264906A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11
作者:
田中 治夫
;
中田 直太郎
;
虫上 雅人
;
石田 ▲祐▼士
;
深田 速水
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザおよびその製法
专利
OAI收割
专利号: JP1996186323A, 申请日期: 1996-07-16, 公开日期: 1996-07-16
作者:
虫上 雅人
;
手銭 雄太
;
村山 実
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザおよびその製法
专利
OAI收割
专利号: JP1996186324A, 申请日期: 1996-07-16, 公开日期: 1996-07-16
作者:
虫上 雅人
;
手銭 雄太
;
村山 実
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザおよびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995263800A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
作者:
田中 治夫
;
中田 直太郎
;
虫上 雅人
;
石田 ▲祐▼士
;
深田 速水
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995240563A, 申请日期: 1995-09-12, 公开日期: 1995-09-12
作者:
田中 治夫
;
中田 直太郎
;
虫上 雅人
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995044307B2, 申请日期: 1995-05-15, 公开日期: 1995-05-15
作者:
田中 治夫
;
中田 直太郎
;
虫上 雅人
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提交时间:2020/01/18
半導体レ-ザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994095583B2, 申请日期: 1994-11-24, 公开日期: 1994-11-24
作者:
虫上 雅人
;
田中 治夫
;
深田 速水
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提交时间:2020/01/13