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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN102214895A, 申请日期: 2011-10-12, 公开日期: 2011-10-12 作者:  西口晴美;  广中美佐夫;  藏本恭介;  楠政谕;  铃木洋介   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体装置的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN102136678A, 申请日期: 2011-07-27, 公开日期: 2011-07-27 作者:  广中美佐夫;  西口晴美;  藏本恭介;  楠政谕   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2010109397A, 申请日期: 2010-05-13, 公开日期: 2010-05-13 作者:  西口 晴美;  島 顕洋   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2010045412A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25 作者:  西口 晴美;  八木 哲哉;  吉田 保明   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN101488641A, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22 作者:  中川康幸;  西口晴美;  蔵本恭介;  楠政谕;  白滨武郎   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101262119A, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10 作者:  中村仁志;  阿部真司;  西口晴美   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP4097552B2, 申请日期: 2008-03-21, 公开日期: 2008-06-11 作者:  松岡 裕益;  國次 恭宏;  西口 晴美;  八木 哲哉;  中川 康幸   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1306669C, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 作者:  西口晴美;  八木哲哉;  吉田保明   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器装置的制造方法及半导体激光器装置 专利  OAI收割 专利号: CN1264258C, 申请日期: 2006-07-12, 公开日期: 2006-07-12 作者:  西口晴美;  岛显洋   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1783605A, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2006-06-07 作者:  山口勉;  西田武弘;  西口晴美;  多田仁史;  吉田保明   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18