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分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998223967A, 申请日期: 1998-08-21, 公开日期: 1998-08-21
作者:  柴田 公隆;  西村 隆司;  鴫原 君男;  渡辺 斉
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半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1998173291A, 申请日期: 1998-06-26, 公开日期: 1998-06-26
作者:  松本 啓資;  西村 隆司
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998126001A, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-05-15
作者:  西村 隆司
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置,及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998012958A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16
作者:  唐木田 昇市;  早藤 紀生;  木村 達也;  宮下 宗治;  杵築 弘隆
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2557546B2, 申请日期: 1996-09-05, 公开日期: 1996-11-27
作者:  西村 隆司
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1996051250A, 申请日期: 1996-02-20, 公开日期: 1996-02-20
作者:  西村 隆司
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18
回折格子の形成方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994204601A, 申请日期: 1994-07-22, 公开日期: 1994-07-22
作者:  西村 隆司;  谷上 依子
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変調器付半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994177364A, 申请日期: 1994-06-24, 公开日期: 1994-06-24
作者:  西村 隆司
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