机构

• 西安光学精密机械研究... [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 2008 [1]
• 2001 [2]
• 2000 [2]
• 1997 [2]
• 1995 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 电极结构，半导体器件，及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101218663A, 申请日期: 2008-07-09, 公开日期: 2008-07-09 作者:  佐佐木达也;  芝和宏;  河本滋;  角野雅芳   |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2020/01/18 エピタキシャル成長用基板及び半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3169177B2, 申请日期: 2001-03-16, 公开日期: 2001-05-21 作者:  角野 雅芳   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体素子の不純物濃度の測定方法 专利  OAI收割 专利号: JP3156778B2, 申请日期: 2001-02-09, 公开日期: 2001-04-16 作者:  角野 雅芳   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 構造体及びそれを用いた半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3138623B2, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2001-02-26 作者:  角野 雅芳   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000223418A, 申请日期: 2000-08-11, 公开日期: 2000-08-11 作者:  角野 雅芳   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997331105A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22 作者:  角野 雅芳   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997199783A, 申请日期: 1997-07-31, 公开日期: 1997-07-31 作者:  角野 雅芳   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 超格子構造体 专利  OAI收割 专利号: JP1995193326A, 申请日期: 1995-07-28, 公开日期: 1995-07-28 作者:  角野 雅芳   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13