机构

• 微电子研究所 [15]
• 南京地理与湖泊研究所 [3]
• 昆明动物研究所 [3]
• 生态环境研究中心 [2]
• 地理科学与资源研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [25]

内容类型

• 期刊论文 [19]
• 专利 [4]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2023 [1]
• 2022 [1]
• 2018 [3]
• 2017 [5]
• 2016 [2]
• 2015 [2]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Quantifying the effects of nonlinear trends of meteorological factors on drought dynamics 期刊论文  OAI收割 NATURAL HAZARDS, 2023, 页码: 22 作者:  Guo, Wenwen;  Huang, Shengzhi;  Zhao, Yong;  Leng, Guoyong;  Zhao, Xianggui   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2023/10/09 Drought  SPEI  Nonlinear trend  Loess Plateau  Climate change   Insights into the Superstable Mineralization of Chromium(III) from Wastewater by CuO 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37823-37832 作者:  Li, Jiaxin;  Shen, Tianyang;  Wang, Huijuan;  Li, Shaoquan;  Wang, Jikang   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2023/11/09 半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30 作者:  王桂磊;  崔虎山;  殷华湘;  李俊峰;  朱慧珑   |  收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2019/03/26 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11 作者:  秦长亮;  王桂磊;  洪培真;  尹海洲;  殷华湘   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/03/26 Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Zhang QZ(张青竹);  Yin HX(殷华湘);  Meng LK(孟令款);  Yao JX(姚佳欣);  Li JJ(李俊杰)   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/05 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210495187.8, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2014-06-11 作者:  殷华湘;  洪培真;  秦长亮;  尹海洲;  王桂磊   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/04/25 Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文  OAI收割 Microelectronic Engineering, 2017 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Xu QX(徐秋霞);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Henry Homayoun Radamson   |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2018/07/09 pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Zhao C(赵超);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Yang T(杨涛)   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/07/05 Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Wang GL(王桂磊);  Ye TC(叶甜春);  Henry Homayoun Radamson;  Zhao C(赵超);  Zhu HL(朱慧珑)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/05 Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs 期刊论文  OAI收割 International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2017 作者:  Henry Homayoun Radamson;  Zhu HL(朱慧珑);  Yin HX(殷华湘);  Qin ZL(秦长亮);  Luo J(罗军)   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/07/05