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浏览/检索结果: 共37条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光器及其生产方法 专利  OAI收割 专利号: CN100452582C, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-01-14 作者:  牧田幸治;  足立秀人   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ装置の実装方法 专利  OAI收割 专利号: JP4087594B2, 申请日期: 2008-02-29, 公开日期: 2008-05-21 作者:  持田 篤一;  井ノ上 裕人;  中尾 克;  岩田 進裕;  高森 晃   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2006093391A, 申请日期: 2006-04-06, 公开日期: 2006-04-06 作者:  鹿嶋 孝之;  牧田 幸治;  足立 秀人   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導體激光器及劈開方法 专利  OAI收割 专利号: HK1018126A, 申请日期: 2004-08-27, 公开日期: 2004-08-27 作者:  木戶口勛   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置 专利  OAI收割 专利号: HK1017161A1, 申请日期: 2004-04-23, 公开日期: 2004-04-23 作者:  大戶口勳;  足立秀人;  萬濃正也;  福久敏哉;  高森晃   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光器及劈开方法 专利  OAI收割 专利号: CN1129218C, 申请日期: 2003-11-26, 公开日期: 2003-11-26 作者:  木户口勳;  足立秀人;  熊渕康仁   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1095231C, 申请日期: 2002-11-27, 公开日期: 2002-11-27 作者:  足立秀人;  木户口勳;  熊渕康仁   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置の実装方法 专利  OAI收割 专利号: JP2002217480A, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-08-02 作者:  持田 篤一;  井ノ上 裕人;  中尾 克;  岩田 進裕;  高森 晃   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子及び半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04 作者:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3246148B2, 申请日期: 2001-11-02, 公开日期: 2002-01-15 作者:  木戸口 勲;  足立 秀人;  上山 智;  大仲 清司   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13