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西安光学精密机械研... [10]
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OAI收割 [10]
内容类型
专利 [10]
发表日期
2009 [2]
2006 [2]
2005 [1]
2004 [1]
1999 [2]
1998 [1]
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モノリシック多波長レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP4326297B2, 申请日期: 2009-06-19, 公开日期: 2009-09-02
作者:
辰巳 正毅
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP4284126B2, 申请日期: 2009-03-27, 公开日期: 2009-06-24
作者:
和田 一彦
;
森本 泰司
;
宮嵜 啓介
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提交时间:2020/01/13
单片多波长激光器件及其制造该器件的方法
专利
OAI收割
专利号: CN1280960C, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2006-10-18
作者:
辰巳正毅
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提交时间:2019/12/26
半导体激光器装置及其制作方法
专利
OAI收割
专利号: CN1241306C, 申请日期: 2006-02-08, 公开日期: 2006-02-08
作者:
森本泰司
;
宫崎启介
;
辰巳正毅
;
和田一彦
;
上田祯亮
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提交时间:2019/12/24
半导体激光元件
专利
OAI收割
专利号: CN1705178A, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2005-12-07
作者:
和田一彦
;
宫嵜启介
;
森本泰司
;
辰巳正毅
;
上田祯亮
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提交时间:2020/01/18
半导体激光器设备及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN1501557A, 申请日期: 2004-06-02, 公开日期: 2004-06-02
作者:
上田祯亮
;
宫嵜启介
;
和田一彦
;
辰巳正毅
;
森本泰司
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提交时间:2019/12/31
半導体発光素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999274644A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08
作者:
辰巳 正毅
;
松本 晃広
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999068226A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者:
辰巳 正毅
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1998135567A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
作者:
辰巳 正毅
;
松本 晃広
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1997069667A, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-03-11
作者:
斉藤 肇
;
辰巳 正毅
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提交时间:2020/01/18