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モノリシック多波長レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP4326297B2, 申请日期: 2009-06-19, 公开日期: 2009-09-02
作者:  
辰巳 正毅
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/24
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP4284126B2, 申请日期: 2009-03-27, 公开日期: 2009-06-24
作者:  
和田 一彦;  森本 泰司;  宮嵜 啓介
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
单片多波长激光器件及其制造该器件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN1280960C, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2006-10-18
作者:  
辰巳正毅
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26
半导体激光器装置及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN1241306C, 申请日期: 2006-02-08, 公开日期: 2006-02-08
作者:  
森本泰司;  宫崎启介;  辰巳正毅;  和田一彦;  上田祯亮
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/24
半导体激光元件 专利  OAI收割
专利号: CN1705178A, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2005-12-07
作者:  
和田一彦;  宫嵜启介;  森本泰司;  辰巳正毅;  上田祯亮
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18
半导体激光器设备及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1501557A, 申请日期: 2004-06-02, 公开日期: 2004-06-02
作者:  
上田祯亮;  宫嵜启介;  和田一彦;  辰巳正毅;  森本泰司
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999274644A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08
作者:  
辰巳 正毅;  松本 晃広
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999068226A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者:  
辰巳 正毅
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998135567A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
作者:  
辰巳 正毅;  松本 晃広
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997069667A, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-03-11
作者:  
斉藤 肇;  辰巳 正毅
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18