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• 西安光学精密机械研... [15]

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• 专利 [15]

发表日期

• 2003 [1]
• 2000 [1]
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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3425185B2, 申请日期: 2003-05-02, 公开日期: 2003-07-07 作者:  近藤 正彦;  魚見 和久;  中村 均   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000277867A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06 作者:  北谷 健;  近藤 正彦;  中原 宏治   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 化合物半導体の形成方法 专利  OAI收割 专利号: JP2982345B2, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-11-22 作者:  皆川 重量;  山口 浩;  近藤 正彦;  柳沢 浩徳   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム 专利  OAI收割 专利号: JP1999145560A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28 作者:  北谷 健;  近藤 正彦;  中原 宏治;  マイク ラルソン   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム 专利  OAI收割 专利号: JP1999087848A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  近藤 正彦;  北谷 健;  中原 宏治   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 光情報処理装置およびこれに適した固体光源および半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP1998270804A, 申请日期: 1998-10-09, 公开日期: 1998-10-09 作者:  後藤 順;  近藤 正彦;  皆川 重量;  河田 雅彦;  赤松 正一   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18 結晶成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP2828979B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25 作者:  近藤 正彦;  皆川 重量;  梶村 俊   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体光素子とそれを用いた応用システム 专利  OAI收割 专利号: JP1997219563A, 申请日期: 1997-08-19, 公开日期: 1997-08-19 作者:  近藤 正彦;  宮原 裕二;  魚見 和久   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2641484B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-13 作者:  近藤 正彦;  皆川 重量   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996274026A, 申请日期: 1996-10-18, 公开日期: 1996-10-18 作者:  奥野 八重;  近藤 正彦;  魚見 和久   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13