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浏览/检索结果: 共263条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Industrial-scale sustainable rare earth mining enabled by electrokinetics 期刊论文  OAI收割 NATURE SUSTAINABILITY, 2025, 页码: 11 作者:  Wang, Gaofeng;  Zhu, Jianxi;  Liang, Xiaoliang;  Ling BW(凌博闻);  Xu, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2025/02/17 Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737 作者:  Dai, Lihua;  Bi, Dawei;  Ning, Bingxu;  Hu, Zhiyuan;  Song, Lei 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2019/05/09 Buried oxide  Interface trap  Silicon ion implantation  Soi nmosfets  Total dose radiation   A 0.5-v novel complementary current-reused cmos lna for 2.4 ghz medical application 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2016, 卷号: 55, 页码: 64-69 作者:  Dai, Ruofan;  Zheng, Yunlong;  He, Jun;  Liu, Guojun;  Kong, Weiran 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/09 Low voltage  Lna  Modified complementary current-reused  Diode connected mosfet bias  Forward body-bias  Harmonic rejection   Design of an ultra-broadband and fabrication-tolerant silicon polarization rotator splitter with sio2 top cladding 期刊论文  iSwitch采集 Chinese optics letters, 2016, 卷号: 14, 期号: 8, 页码: 5 作者:   收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/09 Single-event transient characterization of a radiation-tolerant charge-pump phase-locked loop fabricated in 130 nm pd-soi technology 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 4, 页码: 2402-2408 作者:  Chen, Zhuojun;  Lin, Min;  Zheng, Yunlong;  Wei, Zuodong;  Huang, Shuigen 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/05/09 Heavy-ion testing  Pd-soi  Phase-locked loop  Pulsed-laser testing  Radiation hardening by design  Single-event transients   Comparison of single-event transients of t-gate core and io device in 130nm partially depleted silicon-on-insulator technology 期刊论文  iSwitch采集 Ieice electronics express, 2016, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 11 作者:  Zheng Yunlong;  Dai Ruofan;  Chen Zhuojun;  Sun Shulong;  Wang Zheng 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/05/09 Direct measurement  Heavy ion irradiation  Silicon on insulator technology  Single event transient  Mosfet  Radiation harden by design   一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102904159A, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30 作者:  盛振;  王智琪;  甘甫烷;  武爱民;  王曦   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2020/01/18 深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96 胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2013/02/22 总剂量效应  浅沟槽隔离  氧化层陷阱正电荷  金属氧化物半导体场效晶体管   0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2011, 期号: 11 刘张李; 胡志远; 张正选; 邵华; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 总剂量效应  浅沟槽隔离  氧化层陷阱正电荷  MOSFET   Gate length dependence of the shallow trench isolation leakage current in an irradiated deep submicron NMOSFET 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors., 2011, 卷号: 32, 期号: 6 Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, ZX; Shao, Hua; Chen, M; Bi, Dawei; Ning, Bingxu; Zou, SC 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/08/28