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• 西安光学精密机械研... [11]

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• 专利 [11]

发表日期

• 2011 [1]
• 2007 [2]
• 2003 [1]
• 2001 [1]
• 1999 [4]
• 1998 [1]
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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 激光光源 专利  OAI收割 专利号: CN101241292B, 申请日期: 2011-02-09, 公开日期: 2011-02-09 作者:  汤本润司;  忠永修;  遊部雅生;  铃木博之;  吉野薰   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/24 多光束半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1305193C, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2007-03-14 作者:  东条刚;  日野智公;  后藤修;  矢吹义文;  安斋信一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1296970C, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24 作者:  后藤修;  浅野竹春;  竹谷元伸;  簗克典;  池田真朗   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 光機能素子、これを含む光集積素子およびそれらの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3421999B2, 申请日期: 2003-04-25, 公开日期: 2003-06-30 作者:  中尾 正史;  近藤 康洋;  岡安 雅信;  永沼 充;  鈴木 安弘   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ励起スラブ固体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3153856B2, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-04-09 作者:  野田 修;  入谷 陽一郎   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ励起スラブ固体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999340551A, 申请日期: 1999-12-10, 公开日期: 1999-12-10 作者:  野田 修;  入谷 陽一郎;  松井 一浩;  渡辺 眞生;  赤羽 崇   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体装置、半導体レーザ等の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999330611A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30 作者:  植野 紀子;  田口 歩;  成井 啓修;  岡野 展賢   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31 化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999330616A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30 作者:  岡野 展賢;  成井 啓修;  田口 歩;  植野 紀子   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 2次元LDアレイ素子及びLD励起固体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1999103132A, 申请日期: 1999-04-13, 公开日期: 1999-04-13 作者:  野田 修   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30 窒化物系化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998284802A, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-10-23 作者:  今藤 修;  油利 正昭;  橋本 忠朗;  石田 昌宏;  杉野 隆   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18