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半導体発光素子及び半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04
作者:  
上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26
化合物半導体薄膜の形成方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996008218B2, 申请日期: 1996-01-29, 公开日期: 1996-01-29
作者:  
高橋 康仁;  小倉 基次;  長谷 亘康
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/24
半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995050448A, 申请日期: 1995-02-21, 公开日期: 1995-02-21
作者:  
高橋 康仁;  辻村 歩
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995045900A, 申请日期: 1995-02-14, 公开日期: 1995-02-14
作者:  
山田 美保;  高橋 康仁;  久保 実;  佐々井 洋一
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18
発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1994302859A, 申请日期: 1994-10-28, 公开日期: 1994-10-28
作者:  
大川 和宏;  高橋 康仁;  成沢 忠;  三露 恒男
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体素子実装用接合材およびそれを用いた実装方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994052822B2, 申请日期: 1994-07-06, 公开日期: 1994-07-06
作者:  
上山 智;  高橋 康仁;  大仲 清司
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/23
青色発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994104533A, 申请日期: 1994-04-15, 公开日期: 1994-04-15
作者:  
高橋 康仁
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31
発光材料および発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1993082837A, 申请日期: 1993-04-02, 公开日期: 1993-04-02
作者:  
伴 雄三郎;  上野山 雄;  森 義弘;  高橋 康仁;  大仲 清司
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/31