机构

• 半导体研究所 [17]
• 生态环境研究中心 [1]

采集方式

• OAI收割 [18]

内容类型

• 期刊论文 [16]
• 专利 [1]
• 成果 [1]

发表日期

• 2017 [1]
• 2003 [1]
• 2002 [1]
• 2001 [2]
• 2000 [2]
• 1999 [3]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [14]
• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 挥发及半挥发性有机物污染场地异位修复技术的二次污染及其防治 期刊论文  OAI收割 环境工程, 2017, 期号: 04, 页码: 174-178 作者:  李发生;  马妍;  董彬彬;  杜晓明;  张大定   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/03/14 挥发性有机物  半挥发性有机物  污染场地  异位修复  二次污染防治   GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 142-144 作者:  刘超 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/23 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影 收藏  |  浏览/下载：66/6  |  提交时间：2009/06/11 GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1035 邹德恕; 徐晨; 陈建新; 史辰; 杜金玉; 高国; 沈光地; 黄大定; 李建平; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/23 GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 288 张秀兰; 朱文珍; 黄大定 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1050 林燕霞; 黄大定; 张秀兰; 刘金平; 李建平; 高飞; 孙殿照; 曾一平; 孔梅影 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 142 刘学锋; 李晋闽; 孔梅影; 黄大定; 李建平; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 559 李建平; 黄大定; 刘金平; 刘学锋; 李灵宵; 朱世荣; 孙殿照; 孔梅影 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 GSMBE原位生长SiGeHBT材料 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1049 黄大定; 刘金平; 李建平; 林燕霞; 刘学锋; 李灵霄; 孙殿照; 孔梅影; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究 期刊论文  OAI收割 北京师范大学学报. 自然科学版, 1999, 卷号: 332, 期号: 0 吴正龙; 杨锡震; 李强胜; 黄大定 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23