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浏览/检索结果: 共23条,第1-10条 帮助

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半導体光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP4813009B2, 申请日期: 2011-09-02, 公开日期: 2011-11-09
作者:  
川崎 和重;  鴫原 君男
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP4422806B2, 申请日期: 2009-12-11, 公开日期: 2010-02-24
作者:  
鴫原 君男
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP4387472B2, 申请日期: 2009-10-09, 公开日期: 2009-12-16
作者:  
鴫原 君男
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
半导体光电器件 专利  OAI收割
专利号: CN100407463C, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2008-07-30
作者:  
原君男;  川崎和重
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2008160157A, 申请日期: 2008-07-10, 公开日期: 2008-07-10
作者:  
鴫原 君男
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN100336274C, 申请日期: 2007-09-05, 公开日期: 2007-09-05
作者:  
鴫原君男
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子のスクリーニング方法 专利  OAI收割
专利号: JP3923192B2, 申请日期: 2007-03-02, 公开日期: 2007-05-30
作者:  
鴫原 君男
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/23
半导体光电器件 专利  OAI收割
专利号: CN1269279C, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2006-08-09
作者:  
原君男;  川崎和重
  |  收藏  |  浏览/下载:57/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2005072488A, 申请日期: 2005-03-17, 公开日期: 2005-03-17
作者:  
鴫原 君男;  川崎 和重
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP3318083B2, 申请日期: 2002-06-14, 公开日期: 2002-08-26
作者:  
鴫原 君男
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/13