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• 西安光学精密机械研... [11]

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element 专利  OAI收割 专利号: EP3336981A1, 申请日期: 2018-06-20, 公开日期: 2018-06-20 作者:  TAKEUCHI, TETSUYA;  AKASAKI, ISAMU;  AKAGI, TAKANOBU   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/30 Nitride semiconductor layer structure and a nitride semiconductor laser incorporating a portion of same 专利  OAI收割 专利号: US6829273, 申请日期: 2004-12-07, 公开日期: 2004-12-07 作者:  AMANO, HIROSHI;  AKASAKI, ISAMU;  KANEKO, YAWARA;  YAMADA, NORIHIDE;  TAKEUCHI, TETSUYA   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/12/24 Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor laser diodes 专利  OAI收割 专利号: US6486068, 申请日期: 2002-11-26, 公开日期: 2002-11-26 作者:  YAMASAKI, SHIRO;  NAGAI, SEIJI;  KOIKE, MASAYOSHI;  AKASAKI, ISAMU;  AMANO, HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 Group III nitride compound semiconductor laser diodes 专利  OAI收割 专利号: US5889806, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  NAGAI, SEIJI;  YAMASAKI, SHIRO;  KOIKE, MASAYOSHI;  TOMITA, KAZUYOSHI;  KACHI, TETSU   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 Process for producing a resonator in a semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US5825789, 申请日期: 1998-10-20, 公开日期: 1998-10-20 作者:  WATANABE, YOSHIAKI;  MIYAGUCHI, SATOSHI;  AMANO, HIROSHI;  AKASAKI, ISAMU   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26 Group III nitride compound semiconductor laser diode and method for producing same 专利  OAI收割 专利号: US5604763, 申请日期: 1997-02-18, 公开日期: 1997-02-18 作者:  KATO, HISAKI;  KOIDE, NORIKATSU;  KOIKE, MASAYOSHI;  AKASAKI, ISAMU;  AMANO, HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 Formation of semiconductor multilayer thin film 专利  OAI收割 专利号: JP1990253613A, 申请日期: 1990-10-12, 公开日期: 1990-10-12 作者:  AKASAKI ISAMU;  HIRAMATSU KAZUMASA;  TANAKA NARIYASU   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 - 专利  OAI收割 专利号: JP1987049999B2, 申请日期: 1987-10-22, 公开日期: 1987-10-22 作者:  OOSHIMA MASAAKI;  MATSUKI MICHIO;  AKASAKI ISAMU   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/13 - 专利  OAI收割 专利号: JP1987014957B2, 申请日期: 1987-04-04, 公开日期: 1987-04-04 作者:  OOSHIMA MASAAKI;  MATSUKI MICHIO;  AKASAKI ISAMU   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 Visible semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1985063980A, 申请日期: 1985-04-12, 公开日期: 1985-04-12 作者:  FUJIMOTO AKIRA;  WATANABE HIDEAKI;  SHIMURA MIKIHIKO;  AKASAKI ISAMU   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13