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• 西安光学精密机械研究... [8]

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• 1999 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Method of fabricating of light emitting device with controlled lattice mismatch 专利  OAI收割 专利号: US5872023, 申请日期: 1999-02-16, 公开日期: 1999-02-16 作者:  SHIRAISHI, MASASHI;  ITO, SATOSHI;  NAKANO, KAZUSHI;  ISHIBASHI, AKIRA;  IKEDA, MASAO   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser with ZnMgSSe cladding layers 专利  OAI收割 专利号: US5515393, 申请日期: 1996-05-07, 公开日期: 1996-05-07 作者:  OKUYAMA, HIROYUKI;  AKIMOTO, KATSUHIRO;  MIYAJIMA, TAKAO   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor metal contacting structure and a light emitting device 专利  OAI收割 专利号: US5471067, 申请日期: 1995-11-28, 公开日期: 1995-11-28 作者:  IKEDA, MASAO;  ITO, SATOSHI;  IOCHI, YOSHINO;  MIYAJIMA, TAKAO;  OZAWA, MASAFUMI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割 专利号: US5375134, 申请日期: 1994-12-20, 公开日期: 1994-12-20 作者:  OKUYAMA, HIROYUKI;  AKIMOTO, KATSUHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US5268918, 申请日期: 1993-12-07, 公开日期: 1993-12-07 作者:  AKIMOTO, KATSUHIRO;  OKUYAMA, HIROYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 Manufacture of p-type cds 专利  OAI收割 专利号: JP1992280687A, 申请日期: 1992-10-06, 公开日期: 1992-10-06 作者:  OKUYAMA HIROYUKI;  AKIMOTO KATSUHIRO;  IKEDA MASAO   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 Epitaxial growth method of iii-v or ii-vi compound semiconductor 专利  OAI收割 专利号: JP1988169721A, 申请日期: 1988-07-13, 公开日期: 1988-07-13 作者:  OGAWA JUNKO;  AKIMOTO KATSUHIRO;  TAMAMURA KOJI;  MORI YOSHIFUMI   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31 Compound semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1988056981A, 申请日期: 1988-03-11, 公开日期: 1988-03-11 作者:  TAMAMURA KOJI;  HONDA KAZUO;  AKIMOTO KATSUHIRO;  OGAWA JUNKO   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18