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浏览/检索结果: 共13条,第1-10条 帮助

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Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors 会议论文  OAI收割
作者:  
Kuang Y(匡勇);  Bu JH(卜建辉);  Li B(李博);  Gao LC(高林春);  Liang CP(梁春平)
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2019/05/10
A low leakage current Tunneling-FET based on SOI 会议论文  OAI收割
作者:  
Bu JH(卜建辉);  Li DL(李多力);  Xu GB(许高博);  Cai XW(蔡小五);  Kuang Y(匡勇)
  |  收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2019/05/13
Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文  OAI收割
作者:  
Li B(李博);  Huang YB(黄云波);  L.Yang;  Zhang QZ(张青竹);  Zheng ZS(郑中山)
  |  收藏  |  浏览/下载:52/0  |  提交时间:2019/05/13
Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 期刊论文  OAI收割
Microelectronics Reliability, 2018
作者:  
Zheng ZS(郑中山);  Huang YB(黄云波);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊);  Han ZS(韩郑生)
  |  收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2019/03/28
A Simulation Model for the PN Junction Based on SOI 会议论文  OAI收割
作者:  
Luo JJ(罗家俊);  Bu JH(卜建辉);  Li Y(李莹);  Han ZS(韩郑生)
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2017/05/19
Analysis and optimization of Tunneling-FET based on SOI 会议论文  OAI收割
作者:  
Li Y(李莹);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Bu JH(卜建辉)
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2017/05/19
Effect of Cryogenic Temperature Characteristic on 0.18μm Silicon-on-insulator Devices 期刊论文  OAI收割
Chinese Physics B, 2016
作者:  
Li BH(李彬鸿);  Luo JJ(罗家俊);  Li B(李博);  Bi JS(毕津顺);  Bu JH(卜建辉)
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2017/05/08
A Simulation Model for PDSOI MOSFETs 会议论文  OAI收割
作者:  
Li Y(李莹);  Luo JJ(罗家俊);  Han ZS(韩郑生);  Bu JH(卜建辉)
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2015/05/07
The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs 期刊论文  OAI收割
Journal of Semiconductors, 2014, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 034008-1
作者:  
Luo JJ(罗家俊);  Bu JH(卜建辉);  Li SZ(李书振);  Han ZS(韩郑生)
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2015/04/10
THE ACCRETION RATE INDEPENDENCE OF HORIZONTAL BRANCH OSCILLATION IN XTE J1701-462 期刊论文  OAI收割
ASTROPHYSICAL JOURNAL, 2014, 卷号: 786, 期号: 2, 页码: 119
作者:  
Li, ZS;  Chen, L;  屈进禄;Qu, JL;  Bu, QC;  Wang, DH
收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2016/04/08