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采集方式
OAI收割 [13]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [6]
发表日期
2018 [4]
2016 [3]
2014 [3]
2013 [1]
1998 [2]
学科主题
Astronomy ... [2]
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浏览/检索结果:
共13条,第1-10条
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Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors
会议论文
OAI收割
作者:
Kuang Y(匡勇)
;
Bu JH(卜建辉)
;
Li B(李博)
;
Gao LC(高林春)
;
Liang CP(梁春平)
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/05/10
A low leakage current Tunneling-FET based on SOI
会议论文
OAI收割
作者:
Bu JH(卜建辉)
;
Li DL(李多力)
;
Xu GB(许高博)
;
Cai XW(蔡小五)
;
Kuang Y(匡勇)
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2019/05/13
Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs
会议论文
OAI收割
作者:
Li B(李博)
;
Huang YB(黄云波)
;
L.Yang
;
Zhang QZ(张青竹)
;
Zheng ZS(郑中山)
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2019/05/13
Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs
期刊论文
OAI收割
Microelectronics Reliability, 2018
作者:
Zheng ZS(郑中山)
;
Huang YB(黄云波)
;
Li B(李博)
;
Luo JJ(罗家俊)
;
Han ZS(韩郑生)
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/03/28
A Simulation Model for the PN Junction Based on SOI
会议论文
OAI收割
作者:
Luo JJ(罗家俊)
;
Bu JH(卜建辉)
;
Li Y(李莹)
;
Han ZS(韩郑生)
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/05/19
Analysis and optimization of Tunneling-FET based on SOI
会议论文
OAI收割
作者:
Li Y(李莹)
;
Han ZS(韩郑生)
;
Luo JJ(罗家俊)
;
Bu JH(卜建辉)
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/05/19
Effect of Cryogenic Temperature Characteristic on 0.18μm Silicon-on-insulator Devices
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics B, 2016
作者:
Li BH(李彬鸿)
;
Luo JJ(罗家俊)
;
Li B(李博)
;
Bi JS(毕津顺)
;
Bu JH(卜建辉)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/05/08
A Simulation Model for PDSOI MOSFETs
会议论文
OAI收割
作者:
Li Y(李莹)
;
Luo JJ(罗家俊)
;
Han ZS(韩郑生)
;
Bu JH(卜建辉)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/05/07
The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs
期刊论文
OAI收割
Journal of Semiconductors, 2014, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 034008-1
作者:
Luo JJ(罗家俊)
;
Bu JH(卜建辉)
;
Li SZ(李书振)
;
Han ZS(韩郑生)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2015/04/10
THE ACCRETION RATE INDEPENDENCE OF HORIZONTAL BRANCH OSCILLATION IN XTE J1701-462
期刊论文
OAI收割
ASTROPHYSICAL JOURNAL, 2014, 卷号: 786, 期号: 2, 页码: 119
作者:
Li, ZS
;
Chen, L
;
屈进禄;Qu, JL
;
Bu, QC
;
Wang, DH
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2016/04/08
binaries: general
stars: individual (XTE J1701-462)
stars: neutron
X-rays: binaries
X-rays:individual (XTE J1701-462)