机构

• 上海微系统与信息技术... [6]
• 金属研究所 [2]
• 中国科学院大学 [2]

采集方式

• OAI收割 [8]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [9]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2011 [2]
• 2008 [2]
• 2007 [3]
• 2005 [3]

学科主题

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation on phase change behaviors of Si-Sb-Te alloy: The effect of tellurium segregation 期刊论文  OAI收割 Materials Research Society Symposium Proceedings.New Functional Materials and Emerging Device Architectures for Nonvolatile Memories, 2011, 卷号: 1337, 期号: 0, 页码: 123-128 Zhou, Xilin; Wu, LC; Song, ZT; Rao, Feng; Ren, Kun; Cheng, Yan; Liu, B; Yao, Dongning; Feng, SL; Chen, Bomy 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/08/22 Investigation on phase change behaviors of Si-Sb-Te alloy: The effect of tellurium segregation 期刊论文  OAI收割 Materials Research Society Symposium Proceedings.New Functional Materials and Emerging Device Architectures for Nonvolatile Memories, 2011, 卷号: 1337, 期号: 0, 页码: 123-128 Zhou, Xilin; Wu, Liangcai; Song, ZT; Rao, Feng; Ren, Kun; Cheng, Yan; Liu, B; Yao, Dongning; Feng, SL; Chen, Bomy 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/08/22 基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2008, 期号: 03 徐成; 刘波; 冯高明; 吴良才; 宋志棠; 封松林; Bomy Chen 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 MiWAVE  唐家山  实时监控   Oxidant addition effect on ge(2)sb(2)te(5) phase change film chemical mechanical polishing 期刊论文  iSwitch采集 Journal of the electrochemical society, 2008, 卷号: 155, 期号: 11, 页码: H929-h931 作者:  Zhong, Min;  Song, Zhitang;  Liu, Bo;  Feng, Songlin;  Chen, Bomy 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/10 Effect of structural transformation on the electrical properties for ge(1)sb(2)te(4) thin film 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2007, 卷号: 516, 期号: 1, 页码: 42-46 作者:  Zhang, Ting;  Song, Zhitang;  Liu, Bo;  Feng, Gaoming;  Feng, Songlin 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/10 Ge(1)sb(2)te(4)  Phase change  Chalcogenide random access memory  Hall effect  Data retention   Investigation of phase change Si(2)Sb(2)Te(5)material and its application in chalcogenide random access memory 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 950-954 作者:  Zhang, Ting;  Song, Zhitang;  Liu, Bo;  Feng, Songlin;  Chen, Bomy   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/02/02 phase change  chalcogenide random access memory  Si2Sb2Te5   Investigation of phase change Si(2)Sb(2)Te(5)material and its application in chalcogenide random access memory 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 950-954 作者:  Zhang, Ting;  Song, Zhitang;  Liu, Bo;  Feng, Songlin;  Chen, Bomy   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2021/02/02 phase change  chalcogenide random access memory  Si2Sb2Te5   硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响 会议论文  OAI收割 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 刘波; 宋志棠; 封松林; Bomy Chen 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/18 Ge2Sb2Te5 硅离子注入 硅掺杂 电阻性能 薄膜结构   ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光 期刊论文  OAI收割 微纳电子技术, 2005, 期号: 07 张楷亮; 宋志棠; 封松林; Chen Bomy 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2012/01/06 THz电磁波  THz辐射源  THz探测器  负有效质量  非线性动力学   ULSI化学机械抛光的研究与展望 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2005, 期号: 03 张楷亮; 宋志棠; 封松林; Chen Bomy 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 异质结双极晶体管  铝镓铟磷/砷化镓  直流特性