中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共26条,第1-10条 帮助

条数/页: 排序方式:
Self-sustained pulsating laser diode 专利  OAI收割
专利号: US20010043632A1, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22
作者:  
OHYA, MASAKI;  FUJII, HIROAKI;  ENDO, KENJI
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/31
Method of manufacturing a semiconductor laser device and a crystal growth apparatus for use in a semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US6200382, 申请日期: 2001-03-13, 公开日期: 2001-03-13
作者:  
FUJII, HIROAKI;  ENDO, KENJI
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/26
SURVEY AND ALIGNMENT FOR THE SIAM PHOTON PROJECT 会议论文  OAI收割
APAC'01 Contributions to the Proceedings, Beijing, China, 2001
作者:  
Kenji Mishima;  Kuninori Endo
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2017/02/10
Quantum well semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US5524017, 申请日期: 1996-06-04, 公开日期: 1996-06-04
作者:  
ENDO, KENJI
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/26
- 专利  OAI收割
专利号: JP1993082757B2, 申请日期: 1993-11-22, 公开日期: 1993-11-22
作者:  
ENDO KENJI
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
- 专利  OAI收割
专利号: JP1992019714B2, 申请日期: 1992-03-31, 公开日期: 1992-03-31
作者:  
ENDO KENJI
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1992080983A, 申请日期: 1992-03-13, 公开日期: 1992-03-13
作者:  
FUJII HIROAKI;  UENO YOSHIYASU;  ENDO KENJI
  |  收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1992010689A, 申请日期: 1992-01-14, 公开日期: 1992-01-14
作者:  
ENDO KENJI
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1992007886A, 申请日期: 1992-01-13, 公开日期: 1992-01-13
作者:  
ENDO KENJI
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1991096289A, 申请日期: 1991-04-22, 公开日期: 1991-04-22
作者:  
ENDO KENJI
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18