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西安光学精密机械研... [25]
高能物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [26]
内容类型
专利 [25]
会议论文 [1]
发表日期
2001 [3]
1996 [1]
1993 [1]
1992 [4]
1991 [2]
1990 [3]
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Self-sustained pulsating laser diode
专利
OAI收割
专利号: US20010043632A1, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22
作者:
OHYA, MASAKI
;
FUJII, HIROAKI
;
ENDO, KENJI
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提交时间:2019/12/31
Method of manufacturing a semiconductor laser device and a crystal growth apparatus for use in a semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US6200382, 申请日期: 2001-03-13, 公开日期: 2001-03-13
作者:
FUJII, HIROAKI
;
ENDO, KENJI
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提交时间:2019/12/26
SURVEY AND ALIGNMENT FOR THE SIAM PHOTON PROJECT
会议论文
OAI收割
APAC'01 Contributions to the Proceedings, Beijing, China, 2001
作者:
Kenji Mishima
;
Kuninori Endo
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提交时间:2017/02/10
Quantum well semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US5524017, 申请日期: 1996-06-04, 公开日期: 1996-06-04
作者:
ENDO, KENJI
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提交时间:2019/12/26
-
专利
OAI收割
专利号: JP1993082757B2, 申请日期: 1993-11-22, 公开日期: 1993-11-22
作者:
ENDO KENJI
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提交时间:2020/01/13
-
专利
OAI收割
专利号: JP1992019714B2, 申请日期: 1992-03-31, 公开日期: 1992-03-31
作者:
ENDO KENJI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1992080983A, 申请日期: 1992-03-13, 公开日期: 1992-03-13
作者:
FUJII HIROAKI
;
UENO YOSHIYASU
;
ENDO KENJI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1992010689A, 申请日期: 1992-01-14, 公开日期: 1992-01-14
作者:
ENDO KENJI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1992007886A, 申请日期: 1992-01-13, 公开日期: 1992-01-13
作者:
ENDO KENJI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1991096289A, 申请日期: 1991-04-22, 公开日期: 1991-04-22
作者:
ENDO KENJI
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提交时间:2020/01/18