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浏览/检索结果: 共76条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor laser element and semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US6999486, 申请日期: 2006-02-14, 公开日期: 2006-02-14 作者:  KUNIYASU, TOSHIAKI;  HAYAKAWA, TOSHIRO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser device in which near-edge portion of upper cladding layer is insulated for preventing current injection 专利  OAI收割 专利号: US6901100, 申请日期: 2005-05-31, 公开日期: 2005-05-31 作者:  MUKAIYAMA, AKIHIRO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  KUNIYASU, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser device with a current non-injection region near a resonator end face, and fabrication method thereof 专利  OAI收割 专利号: US6888866, 申请日期: 2005-05-03, 公开日期: 2005-05-03 作者:  KUNIYASU, TOSHIAKI;  YAMANAKA, FUSAO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser and method of manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: US6876688, 申请日期: 2005-04-05, 公开日期: 2005-04-05 作者:  HAYAKAWA, TOSHIRO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser element including optical waveguide layers which have gradually varying bandgaps so as to reduce electrical resistance at interfaces 专利  OAI收割 专利号: US20050047463A1, 申请日期: 2005-03-03, 公开日期: 2005-03-03 作者:  AKINAGA, FUJIO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US6856636, 申请日期: 2005-02-15, 公开日期: 2005-02-15 作者:  OHGOH, TSUYOSHI;  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/13 InGaAsP or InGaAs semiconductor laser element in which near-edge portion of active layer is substituted with GaAs optical waveguide layer having greater bandgap than active layer 专利  OAI收割 专利号: US6816524, 申请日期: 2004-11-09, 公开日期: 2004-11-09 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser device in which compressive strain active layer is sandwiched between tensile strain optical waveguide layers and average strain is limited 专利  OAI收割 专利号: US6643306, 申请日期: 2003-11-04, 公开日期: 2003-11-04 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser device including arrow structure precisely formed to suppress P-As interdiffusion and Al oxidation 专利  OAI收割 专利号: US20030128731A1, 申请日期: 2003-07-10, 公开日期: 2003-07-10 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 High-power semiconductor laser device in which near-edge portions of active layer are removed 专利  OAI收割 专利号: US6580738, 申请日期: 2003-06-17, 公开日期: 2003-06-17 作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18