中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助

条数/页： 排序方式：
Semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1986097890A, 申请日期: 1986-05-16, 公开日期: 1986-05-16
作者:  FURUMIYA SATOSHI;  MORIMOTO MASAHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1986059795A, 申请日期: 1986-03-27, 公开日期: 1986-03-27
作者:  FURUMIYA SATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1986046087A, 申请日期: 1986-03-06, 公开日期: 1986-03-06
作者:  FURUMIYA SATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1985213074A, 申请日期: 1985-10-25, 公开日期: 1985-10-25
作者:  FURUMIYA SATOSHI;  OKUDA SHINYA
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1984112674A, 申请日期: 1984-06-29, 公开日期: 1984-06-29
作者:  FURUMIYA SATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1984112673A, 申请日期: 1984-06-29, 公开日期: 1984-06-29
作者:  FURUMIYA SATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1984108387A, 申请日期: 1984-06-22, 公开日期: 1984-06-22
作者:  FURUMIYA SATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13
Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1982197822A, 申请日期: 1982-12-04, 公开日期: 1982-12-04
作者:  FURUMIYA SATOSHI;  YAMAGUCHI AKIO
  |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of semiconductor wafers 专利  OAI收割
专利号: JP1981116616A, 申请日期: 1981-09-12, 公开日期: 1981-09-12
作者:  KUSUKI TOSHIHIRO;  AKITA KENZOU;  FURUMIYA SATOSHI;  YAMAGUCHI AKIO
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1977153686A, 申请日期: 1977-12-20, 公开日期: 1977-12-20
作者:  TAKAHASHI SHINICHI;  MIZUSAWA KOUJI;  FURUMIYA SATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2020/01/18