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Interface Si donor control to improve dynamic performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs 期刊论文  OAI收割
AIP ADVANCES, 2017
作者:  Song, L;  Fu, K（付凯）;  Zhang, ZL（张志利）;  Sun, SC;  Li, WY
  |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/02/05
High-resistivity unintentionally carbon-doped GaN layers with nitrogen as nucleation layer carrier gas grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割
AIP ADVANCES, 2017
作者:  Chen, F;  Sun, SC;  Deng, XG（邓旭光）;  Fu, K（付凯）;  Yu, GH（于国浩）
  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/02/05
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1
作者:  Sun, SC;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, ZL;  Song, L
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2017/03/11
Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY
收藏  |  浏览/下载：141/0  |  提交时间：2017/03/11
Diamond based field-effect transistors with SiNX and ZrO2 double dielectric layers 期刊论文  OAI收割
DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2016, 卷号: 69
作者:  Wang, W;  Fu, K(付凯);  Hu, C;  Li, FN;  Liu, ZC
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/03/11
Normally-off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors using hydrogen plasma treatment 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 15
作者:  Hao, RH;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY;  Yuan, J
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2017/03/11
Compatibility of AlN/SiNx Passivation With LPCVD-SiNx Gate Dielectric in GaN-Based MIS-HEMT 期刊论文  OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 3
作者:  Hua, MY;  Lu, YY;  Liu, SH;  Liu, C;  Fu, K(付凯)
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11
Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer 期刊论文  OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(张晓东);  Deng, XG(邓旭光);  Li, SM(李水明)
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11
16.8 A/600 V AlGaN/GaN MIS-HEMTs employing LPCVD-Si3N4 as gate insulator 期刊论文  OAI收割
ELECTRONICS LETTERS, 2015, 卷号: 51, 期号: 15, 页码: 2
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(于国浩);  Tan, SX;  Wu, DD(吴冬东)
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2015/12/31
GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition SiNx as Gate Dielectric 期刊论文  OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 3
作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K(付凯)
收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2015/12/31