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苏州纳米技术与纳米... [17]
采集方式
OAI收割 [17]
内容类型
期刊论文 [17]
发表日期
2018 [7]
2017 [6]
2016 [2]
2012 [2]
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共17条,第1-10条
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10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current
期刊论文
OAI收割
ELECTRONICS LETTERS, 2018
作者:
Wang, Qilong
;
Zhang, Bingliang
;
Du, Zhongkai
;
Zhao, Jie(赵杰)
;
Chen, Fu(陈扶)
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提交时间:2019/03/27
An Al0.25Ga0.75N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018
作者:
Yu, Guo-Hao(于国浩)
;
Cai, Yong(蔡勇)
;
Zhang, Bao-Shun(张宝顺)
;
Wang, Yi-Qun(王逸群)
;
Fu, Kai(付凯)
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提交时间:2019/03/27
Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
OAI收割
AIP ADVANCES, 2018
作者:
Fan, Yaming(范亚明)
;
Song, Liang(宋亮)
;
Cai, Yong(蔡勇)
;
Zhang, Baoshun(张宝顺)
;
Zhao, Jie
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2019/03/27
Degradation of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors under off-state electrical stress
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018
作者:
Zhang, Baoshun(张宝顺)
;
Fan, Yaming(范亚明)
;
Hao, Ronghui(郝荣晖)
;
Yu, Guohao(于国浩)
;
Zhao, Jie
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2019/03/27
Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018
作者:
Deng, Xuguang(邓旭光)
;
Li, Xiang
;
Xu, Ning
;
Hao, Ronghui(郝荣晖)
;
Zhang, Xinping
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提交时间:2019/03/27
Nonpolar vertical GaN-on-GaN p-n diodes grown on free-standing (10(1)over-bar0) m-plane GaN
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018
作者:
Fu, Houqiang
;
Yang, Tsung-Han
;
Xu, Ke(徐科)
;
Ponce, Fernando A.
;
Zhang, Baoshun(张宝顺)
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提交时间:2019/03/27
Solar-blind ultraviolet photodetector based on graphene/vertical Ga2O3 nanowire array heterojunction
期刊论文
OAI收割
NANOPHOTONICS, 2018
作者:
Zhang, Baoshun(张宝顺)
;
Zhang, Xiaodong(张晓东)
;
Zhao, Yukun
;
Fu, Kai(付凯)
;
Sun, Chi
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提交时间:2019/03/27
Flexible Broadband Graphene Photodetectors Enhanced by Plasmonic Cu3-xP Colloidal Nanocrystals
期刊论文
OAI收割
SMALL, 2017
作者:
Sun, Tian
;
Wang, Yongjie
;
Yu, Wenzhi
;
Wang, Yusheng
;
Dai, Zhigao
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提交时间:2018/02/05
Breakdown Enhancement and Current Collapse Suppression by High-Resistivity GaN Cap Layer in Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:
Hao, Ronghui
;
Li, Weiyi
;
Fu, Kai(付凯)
;
Yu, Guohao
;
Song, Liang
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提交时间:2018/02/05
High-performance AlGaN/GaN MIS-HEMT device based on in situ plasma nitriding and low power chemical vapor deposition Si3N4gate dielectrics
期刊论文
OAI收割
2017
作者:
Li, Shu-Ping
;
Zhang, Zhi-Li(张志利)
;
Fu, Kai(付凯)
;
Yu, Guo-Hao(于国浩)
;
Cai, Yong(蔡勇)
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提交时间:2018/02/05