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机构
西安光学精密机械研... [21]
采集方式
OAI收割 [21]
内容类型
专利 [21]
发表日期
1989 [2]
1988 [3]
1987 [3]
1986 [6]
1984 [1]
1983 [4]
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Distributed feedback laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989124279A, 申请日期: 1989-05-17, 公开日期: 1989-05-17
作者:
TAKAMORI AKIRA
;
TAKENAKA NAOKI
;
HASE NOBUYASU
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989124280A, 申请日期: 1989-05-17, 公开日期: 1989-05-17
作者:
HIRAYAMA NORIYUKI
;
OSHIMA MASAAKI
;
HASE NOBUYASU
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1988305584A, 申请日期: 1988-12-13, 公开日期: 1988-12-13
作者:
HASE NOBUYASU
;
MATSUKI MICHIO
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提交时间:2020/01/13
Formation of grating
专利
OAI收割
专利号: JP1988299387A, 申请日期: 1988-12-06, 公开日期: 1988-12-06
作者:
HASE NOBUYASU
;
OSHIMA MASAAKI
;
TAKEUCHI YOSHINORI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser with a controllable transmittance layer
专利
OAI收割
专利号: US4760578, 申请日期: 1988-07-26, 公开日期: 1988-07-26
作者:
OSHIMA, MASAAKI
;
HIRAYAMA, NORIYUKI
;
HASE, NOBUYASU
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1987248282A, 申请日期: 1987-10-29, 公开日期: 1987-10-29
作者:
OSHIMA MASAAKI
;
TAKEUCHI YOSHINORI
;
HASE NOBUYASU
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提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: JP1987086885A, 申请日期: 1987-04-21, 公开日期: 1987-04-21
作者:
HIRAYAMA NORIYUKI
;
OSHIMA MASAAKI
;
TAKENAKA NAOKI
;
HASE NOBUYASU
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1987002583A, 申请日期: 1987-01-08, 公开日期: 1987-01-08
作者:
KOBAYASHI ATSUYUKI
;
HASE NOBUYASU
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1986191092A, 申请日期: 1986-08-25, 公开日期: 1986-08-25
作者:
KUBO MINORU
;
ONAKA SEIJI
;
HASE NOBUYASU
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor device and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1986191089A, 申请日期: 1986-08-25, 公开日期: 1986-08-25
作者:
OGURA MOTOTSUGU
;
HASE NOBUYASU
;
TAKAHASHI YASUHITO
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提交时间:2020/01/18