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Manufacture of semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1985102790A, 申请日期: 1985-06-06, 公开日期: 1985-06-06
作者:  
HIRANO RIYOUICHI
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Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1984205788A, 申请日期: 1984-11-21, 公开日期: 1984-11-21
作者:  
SAKAKIBARA YASUSHI;  HIRANO RIYOUICHI;  HIGUCHI HIDEYO;  OOMURA ETSUJI;  NAMISAKI HIROBUMI
  |  收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2020/01/18
Manufacture of injection laser 专利  OAI收割
专利号: JP1984148382A, 申请日期: 1984-08-25, 公开日期: 1984-08-25
作者:  
SUZAKI WATARU;  HIRANO RIYOUICHI;  SAKAKIBARA YASUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1984117288A, 申请日期: 1984-07-06, 公开日期: 1984-07-06
作者:  
HIRANO RIYOUICHI;  OOMURA ETSUJI;  HIGUCHI HIDEYO;  SAKAKIBARA YASUSHI;  NAMISAKI HIROBUMI
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
Liquid phase epitaxial growth 专利  OAI收割
专利号: JP1984068926A, 申请日期: 1984-04-19, 公开日期: 1984-04-19
作者:  
HIRANO RIYOUICHI;  NAMISAKI HIROBUMI;  SUZAKI WATARU;  TANAKA TOSHIO
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1983225683A, 申请日期: 1983-12-27, 公开日期: 1983-12-27
作者:  
HIRANO RIYOUICHI;  NAMISAKI HIROBUMI;  SUZAKI WATARU
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor wafer 专利  OAI收割
专利号: JP1983050791A, 申请日期: 1983-03-25, 公开日期: 1983-03-25
作者:  
SAKAKIBARA YASUSHI;  NAMISAKI HIROBUMI;  HIRANO RIYOUICHI;  SUZAKI WATARU
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/13
Liquid phase epitaxial growth method of semiconductor 专利  OAI收割
专利号: JP1983046628A, 申请日期: 1983-03-18, 公开日期: 1983-03-18
作者:  
NAMISAKI HIROBUMI;  SUZAKI WATARU;  HIRANO RIYOUICHI
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/18
Structure of liquid-phase epitaxial grown layer 专利  OAI收割
专利号: JP1982204120A, 申请日期: 1982-12-14, 公开日期: 1982-12-14
作者:  
HIRANO RIYOUICHI;  NAMISAKI HIROBUMI;  SUZAKI WATARU
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/31