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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
1985 [1]
1984 [4]
1983 [3]
1982 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
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Manufacture of semiconductor light-emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1985102790A, 申请日期: 1985-06-06, 公开日期: 1985-06-06
作者:
HIRANO RIYOUICHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1984205788A, 申请日期: 1984-11-21, 公开日期: 1984-11-21
作者:
SAKAKIBARA YASUSHI
;
HIRANO RIYOUICHI
;
HIGUCHI HIDEYO
;
OOMURA ETSUJI
;
NAMISAKI HIROBUMI
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of injection laser
专利
OAI收割
专利号: JP1984148382A, 申请日期: 1984-08-25, 公开日期: 1984-08-25
作者:
SUZAKI WATARU
;
HIRANO RIYOUICHI
;
SAKAKIBARA YASUSHI
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1984117288A, 申请日期: 1984-07-06, 公开日期: 1984-07-06
作者:
HIRANO RIYOUICHI
;
OOMURA ETSUJI
;
HIGUCHI HIDEYO
;
SAKAKIBARA YASUSHI
;
NAMISAKI HIROBUMI
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提交时间:2020/01/13
Liquid phase epitaxial growth
专利
OAI收割
专利号: JP1984068926A, 申请日期: 1984-04-19, 公开日期: 1984-04-19
作者:
HIRANO RIYOUICHI
;
NAMISAKI HIROBUMI
;
SUZAKI WATARU
;
TANAKA TOSHIO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1983225683A, 申请日期: 1983-12-27, 公开日期: 1983-12-27
作者:
HIRANO RIYOUICHI
;
NAMISAKI HIROBUMI
;
SUZAKI WATARU
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor wafer
专利
OAI收割
专利号: JP1983050791A, 申请日期: 1983-03-25, 公开日期: 1983-03-25
作者:
SAKAKIBARA YASUSHI
;
NAMISAKI HIROBUMI
;
HIRANO RIYOUICHI
;
SUZAKI WATARU
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提交时间:2020/01/13
Liquid phase epitaxial growth method of semiconductor
专利
OAI收割
专利号: JP1983046628A, 申请日期: 1983-03-18, 公开日期: 1983-03-18
作者:
NAMISAKI HIROBUMI
;
SUZAKI WATARU
;
HIRANO RIYOUICHI
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提交时间:2020/01/18
Structure of liquid-phase epitaxial grown layer
专利
OAI收割
专利号: JP1982204120A, 申请日期: 1982-12-14, 公开日期: 1982-12-14
作者:
HIRANO RIYOUICHI
;
NAMISAKI HIROBUMI
;
SUZAKI WATARU
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提交时间:2019/12/31