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• 西安光学精密机械研究... [8]

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• 专利 [8]

发表日期

• 1988 [1]
• 1985 [1]
• 1982 [1]
• 1981 [1]
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• 1977 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 - 专利  OAI收割 专利号: JP1988066077B2, 申请日期: 1988-12-19, 公开日期: 1988-12-19 作者:  HIRAYAMA YOSHIO;  SUGIURA HIDEO;  OOTSUKA KENJU;  HORIKOSHI YOSHIHARU   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1985101989A, 申请日期: 1985-06-06, 公开日期: 1985-06-06 作者:  HORIKOSHI YOSHIHARU;  OKAMOTO HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor light emitting element 专利  OAI收割 专利号: JP1982187986A, 申请日期: 1982-11-18, 公开日期: 1982-11-18 作者:  FUKUI TAKASHI;  HORIKOSHI YOSHIHARU   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor light source 专利  OAI收割 专利号: JP1981026484A, 申请日期: 1981-03-14, 公开日期: 1981-03-14 作者:  KOBAYASHI NAOKI;  HORIKOSHI YOSHIHARU   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1980086179A, 申请日期: 1980-06-28, 公开日期: 1980-06-28 作者:  KOBAYASHI NAOKI;  HORIKOSHI YOSHIHARU   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1980074196A, 申请日期: 1980-06-04, 公开日期: 1980-06-04 作者:  HORIKOSHI YOSHIHARU;  KAWASHIMA MINORU   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser and its liquid phase epitaxial crystal growth method 专利  OAI收割 专利号: JP1977141187A, 申请日期: 1977-11-25, 公开日期: 1977-11-25 作者:  TAKANASHI YOSHIFUMI;  HORIKOSHI YOSHIHARU;  FURUKAWA YOSHITAKA   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/01/18 Liquid phase epitaxial growth towards the top of alxga11xas base 专利  OAI收割 专利号: JP1976114067A, 公开日期: 1976-10-07 作者:  HORIKOSHI YOSHIHARU;  FURUKAWA YOSHITAKA   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26