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机构
西安光学精密机械研... [14]
采集方式
OAI收割 [14]
内容类型
专利 [14]
发表日期
2019 [1]
2017 [1]
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Method of removing a substrate with a cleaving technique
专利
OAI收割
专利号: WO2019055936A1, 申请日期: 2019-03-21, 公开日期: 2019-03-21
作者:
KAMIKAWA, TAKESHI
;
GANDROTHULA, SRINIVAS
;
LI, HONGJIAN
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提交时间:2019/12/31
Optical component and optical module
专利
OAI收割
专利号: EP2557642A3, 申请日期: 2017-07-05, 公开日期: 2017-07-05
作者:
KAWAKAMI, TOSHIYUKI
;
KAMIKAWA, TAKESHI
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提交时间:2019/12/31
Nitride semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: US20160036197A1, 申请日期: 2016-02-04, 公开日期: 2016-02-04
作者:
KAWAGUCHI, YOSHINOBU
;
KAMIKAWA, TAKESHI
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提交时间:2020/01/18
Nitride semiconductor laser chip
专利
OAI收割
专利号: US8571083, 申请日期: 2013-10-29, 公开日期: 2013-10-29
作者:
KAWAGUCHI, YOSHINOBU
;
KAMIKAWA, TAKESHI
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提交时间:2019/12/26
Nitride semiconductor light emitting device, method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device, and nitride semiconductor transistor device
专利
OAI收割
专利号: US8067255, 申请日期: 2011-11-29, 公开日期: 2011-11-29
作者:
KAMIKAWA, TAKESHI
;
KAWAGUCHI, YOSHINOBU
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提交时间:2019/12/24
Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US7970035, 申请日期: 2011-06-28, 公开日期: 2011-06-28
作者:
KAWAGUCHI, YOSHINOBU
;
KAMIKAWA, TAKESHI
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提交时间:2019/12/24
Nitride semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US7792172, 申请日期: 2010-09-07, 公开日期: 2010-09-07
作者:
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提交时间:2020/01/18
Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof
专利
OAI收割
专利号: US7701994, 申请日期: 2010-04-20, 公开日期: 2010-04-20
作者:
KONDOU, MASAHUMI
;
KAMIKAWA, TAKESHI
;
KAWAGUCHI, YOSHINOBU
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提交时间:2019/12/26
Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing the same
专利
OAI收割
专利号: US7691653, 申请日期: 2010-04-06, 公开日期: 2010-04-06
作者:
KAMIKAWA, TAKESHI
;
KAWAGUCHI, YOSHINOBU
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US7633983, 申请日期: 2009-12-15, 公开日期: 2009-12-15
作者:
KAWAGUCHI, YOSHINOBU
;
KAMIKAWA, TAKESHI
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提交时间:2020/01/18