机构

• 西安光学精密机械研... [14]

采集方式

• OAI收割 [14]

内容类型

• 专利 [14]

发表日期

• 2019 [1]
• 2017 [1]
• 2016 [1]
• 2013 [1]
• 2011 [2]
• 2010 [3]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Method of removing a substrate with a cleaving technique 专利  OAI收割 专利号: WO2019055936A1, 申请日期: 2019-03-21, 公开日期: 2019-03-21 作者:  KAMIKAWA, TAKESHI;  GANDROTHULA, SRINIVAS;  LI, HONGJIAN   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 Optical component and optical module 专利  OAI收割 专利号: EP2557642A3, 申请日期: 2017-07-05, 公开日期: 2017-07-05 作者:  KAWAKAMI, TOSHIYUKI;  KAMIKAWA, TAKESHI   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 Nitride semiconductor light emitting device 专利  OAI收割 专利号: US20160036197A1, 申请日期: 2016-02-04, 公开日期: 2016-02-04 作者:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 Nitride semiconductor laser chip 专利  OAI收割 专利号: US8571083, 申请日期: 2013-10-29, 公开日期: 2013-10-29 作者:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Nitride semiconductor light emitting device, method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device, and nitride semiconductor transistor device 专利  OAI收割 专利号: US8067255, 申请日期: 2011-11-29, 公开日期: 2011-11-29 作者:  KAMIKAWA, TAKESHI;  KAWAGUCHI, YOSHINOBU   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US7970035, 申请日期: 2011-06-28, 公开日期: 2011-06-28 作者:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 Nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US7792172, 申请日期: 2010-09-07, 公开日期: 2010-09-07 作者:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI;  ITO, SHIGETOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18 Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof 专利  OAI收割 专利号: US7701994, 申请日期: 2010-04-20, 公开日期: 2010-04-20 作者:  KONDOU, MASAHUMI;  KAMIKAWA, TAKESHI;  KAWAGUCHI, YOSHINOBU   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: US7691653, 申请日期: 2010-04-06, 公开日期: 2010-04-06 作者:  KAMIKAWA, TAKESHI;  KAWAGUCHI, YOSHINOBU   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US7633983, 申请日期: 2009-12-15, 公开日期: 2009-12-15 作者:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18