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Buried-type semiconductor laser and manufacture of the same 专利  OAI收割
专利号: JP1989175792A, 申请日期: 1989-07-12, 公开日期: 1989-07-12
作者:  KATOU YOSHITAKE
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31
Selective buried growth of iii-v compound semiconductor 专利  OAI收割
专利号: JP1989175727A, 申请日期: 1989-07-12, 公开日期: 1989-07-12
作者:  KATOU YOSHITAKE
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/31
Selective buried growth of group iii-v compound semiconductor 专利  OAI收割
专利号: JP1989175727K1, 申请日期: 1989-07-12, 公开日期: 1989-07-12
作者:  KATOU YOSHITAKE
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31
Buried semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1989050490A, 申请日期: 1989-02-27, 公开日期: 1989-02-27
作者:  KATOU YOSHITAKE;  NISHIMOTO HIROYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of semiconductor integrated element 专利  OAI收割
专利号: JP1988311785A, 申请日期: 1988-12-20, 公开日期: 1988-12-20
作者:  KATOU YOSHITAKE
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
Optical integrated element 专利  OAI收割
专利号: JP1988311786A, 申请日期: 1988-12-20, 公开日期: 1988-12-20
作者:  MURATA SHIGERU;  KATOU YOSHITAKE
  |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2020/01/18
Optical integrated element 专利  OAI收割
专利号: JP1988307794A, 申请日期: 1988-12-15, 公开日期: 1988-12-15
作者:  MURATA SHIGERU;  KATOU YOSHITAKE
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of buried semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1988226989A, 申请日期: 1988-09-21, 公开日期: 1988-09-21
作者:  KATOU YOSHITAKE
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser of buried structure 专利  OAI收割
专利号: JP1988178576A, 申请日期: 1988-07-22, 公开日期: 1988-07-22
作者:  KATOU YOSHITAKE
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31
Manufacture of semiconductor laser having embedded structure 专利  OAI收割
专利号: JP1988079392A, 申请日期: 1988-04-09, 公开日期: 1988-04-09
作者:  KATOU YOSHITAKE
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