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机构
西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
1988 [2]
1987 [3]
1986 [2]
1982 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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Compound semiconductor electrode structure
专利
OAI收割
专利号: JP1988252471A, 申请日期: 1988-10-19, 公开日期: 1988-10-19
作者:
TANIOKA AKIRA
;
SUHARA MOTOI
;
KONNO KUNIAKI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor element electrode
专利
OAI收割
专利号: JP1988095661A, 申请日期: 1988-04-26, 公开日期: 1988-04-26
作者:
KONNO KUNIAKI
;
CHINEN YUKIO
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提交时间:2020/01/18
Cleavage method
专利
OAI收割
专利号: JP1987171175A, 申请日期: 1987-07-28, 公开日期: 1987-07-28
作者:
KONNO KUNIAKI
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提交时间:2020/01/18
Method for measuring thickness of epitaxial wafer layer
专利
OAI收割
专利号: JP1987073617A, 申请日期: 1987-04-04, 公开日期: 1987-04-04
作者:
TANAKA AKIRA
;
KONNO KUNIAKI
;
MATSUYAMA TAKAYUKI
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of photo-semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: JP1987002582A, 申请日期: 1987-01-08, 公开日期: 1987-01-08
作者:
KONNO KUNIAKI
;
KINOSHITA JUNICHI
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提交时间:2019/12/31
Waveform sweeping semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1986252681A, 申请日期: 1986-11-10, 公开日期: 1986-11-10
作者:
SHIBAGAKI TARO
;
IBE HIROYUKI
;
KONNO KUNIAKI
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提交时间:2019/12/31
Manufacture of buried semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986104687A, 申请日期: 1986-05-22, 公开日期: 1986-05-22
作者:
KONNO KUNIAKI
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提交时间:2020/01/13
Vapor-phase growing device for compound semiconductor
专利
OAI收割
专利号: JP1982027016A, 申请日期: 1982-02-13, 公开日期: 1982-02-13
作者:
IWAMOTO MASAMI
;
KONNO KUNIAKI
;
BETSUPU TATSUROU
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提交时间:2019/12/31