机构

• 半导体研究所 [15]
• 南京地质古生物研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [15]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [13]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2019 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [3]
• 2005 [2]
• 2001 [1]
• 1998 [1]
• 更多

学科主题

• 光电子学 [8]
• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Mid- to late Holocene vegetation change recorded at a Neolithic site in the Yangtze coastal plain, East China 期刊论文  OAI收割 QUATERNARY INTERNATIONAL, 2019, 卷号: 519, 页码: 122-130 作者:  Tang, Liang;  Shu, Junwu （舒军武）;  Chen, Jie;  Wang, Zhanghua   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/12/18 Pollen  Rice cultivation  Agricultural activity  Aquatic plants  Hydrological environment  Sea-level rise   Defect Cluster-Induced X-Ray Diffuse Scattering in GaN Films Grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1242-1245 作者:  Zhao Degang;  Wang Yutian;  Jiang Desheng;  Duan Ruifei;  Ma Zhifang 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/11/23 Characteristics of ingan multiple quantum well blue-violet laser diodes 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series e-technological sciences, 2006, 卷号: 49, 期号: 6, 页码: 727-732 作者:  Li Deyao 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)  Gan-hased laser diodes  Multiple quantum well  Ridge waveguide  Threshold current   Temperature Distribution in Ridge Structure InGaN Laser Diodes and Its Influence on Device Characteristics 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 499-505 作者:   收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/11/23 Characteristics of InGaN multiple quantum well blue-violet laser diodes 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2006, 卷号: 49, 期号: 6, 页码: 727-732 Li DY (Li Deyao); Zhang SM (Zhang Shuming); Wang JF (Wang Jianfeng); Chen J (Chen Jun); Chen LH (Chen Lianghui); Chong M (Chong Ming); Zhu JJ (Zhu Jianjun); Zhao DG (Zhao Degang); Liu ZS (Liu Zongshun); Yang H (Yang Hui); Liang JW (Liang Junwu) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)  GaN-hased laser diodes  multiple quantum well  ridge waveguide  threshold current  ELECTRICAL-PROPERTIES  GAN SUBSTRATE  CONTACTS   Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 414-417 作者:  Chen Lianghui;  Zhang Shuming;  Zhu Jianjun;  Zhao Degang 收藏  |  浏览/下载：181/1  |  提交时间：2010/11/23 Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on (001) GaAs Substrate 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 645-650 作者:  Wang Yutian 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/23 Determination of structure and polarity of SiC single crystal by X-ray diffraction technique 期刊论文  OAI收割 chinese journal of semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35-39 Zheng Xinhe, Qu Bo, Wang Yutian, Yang Hui, Liang Junwu 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2014/05/15 Physical properties and growth of SiC 期刊论文  OAI收割 chinese journal of electronics, 1998, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 28-33 Liang Junwu,Zhu Jianjun 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/05/15 The dependence of GexSi1-x epitaxial growth on GeH4 flow using chemical vopour deposition 期刊论文  OAI收割 j.materials science :materials in electronics, 1997, 卷号: 8, 页码: 405-408 Jin Xiaojun, Liang Junwu 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/05/15