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苏州纳米技术与纳米... [40]
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OAI收割 [40]
内容类型
期刊论文 [39]
会议论文 [1]
发表日期
2016 [7]
2015 [9]
2014 [8]
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Investigation of room-temperature wafer bonded GaInP/GaAs/InGaAsP triple-junction solar cells
期刊论文
OAI收割
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 389
作者:
Yang, WX(杨文献)
;
Dai, P(代盼)
;
Ji, L(季莲)
;
Tan, M
;
Wu, YY(吴渊渊)
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2017/03/11
Effect of thermal annealing on electron spin relaxation of beryllium-doped In0.8Ga0.2As0.45P0.55 bulk
期刊论文
OAI收割
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 8
作者:
Wu, H
;
Ji, L
;
Harasawa, R
;
Yasue, Y
;
Aritake, T
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2017/03/11
Room-temperature wafer bonded InGaP/GaAs//InGaAsP/InGaAs four-junction solar cell grown by all-solid state molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 1
作者:
Dai, P(代盼)
;
Lu, SL(陆书龙)
;
Uchida, SR
;
Ji, L(季莲)
;
Wu, YY(吴渊渊)
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2017/03/11
Effects of buffer layer and back-surface field on MBE-grown InGaAsP/InGaAs solar cells
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 期号: 2
作者:
Wu, YY
;
Ji, L(季莲)
;
Dai, P(代盼)
;
Tan, M(谭明)
;
Lu, SL(陆书龙)
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/03/11
Effects of Ultrathin AlAs Interfacial Layer on Photoluminescence Properties of GaInP Epilayer Grown on Ge
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 卷号: 45, 期号: 1
作者:
Chen, JX(陈俊霞)
;
He, W
;
Jia, SP
;
Jiang, DS
;
Lu, SL(陆书龙)
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2017/03/11
Initial heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on Ge (100) by all-solid-source molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 卷号: 35, 期号: 2
作者:
He, W
;
Lu, SL(陆书龙)
;
Yang, H(杨辉)
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2017/03/11
Transition of radiative recombination channels from delocalized states to localized states in a GaInP alloy with partial atomic ordering: a direct optical signature of Mott transition?
期刊论文
OAI收割
NANOSCALE, 2016, 卷号: 8, 期号: 13
作者:
Su, ZC
;
Ning, JQ(宁吉强)
;
Deng, Z
;
Wang, XH
;
Xu, SJ
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2017/03/11
Observation of picosecond electron spin relaxation in InGaAsP by time-resolved spin-dependent pump and probe reflection measurement
期刊论文
OAI收割
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2015, 卷号: 252, 期号: 6, 页码: 4
作者:
Harasawa, R
;
Yamamoto, N
;
Wu, H(吴昊)
;
Aritake, T
;
Lu, SL(陆书龙)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/12/31
InGaAsP
semiconductors
spin relaxation
spintronics
Investigation of InGaAsP solar cells grown by solid-state molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2015, 卷号: 137, 页码: 5
作者:
Ji, L(季莲)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/12/31
InGaAsP
Molecular beam epitaxy
Solar cell
Quantum efficiency
Carrier recombination dynamics
III-V compound semiconductor multi-junction solar cells fabricated by room-temperature wafer-bonding technique
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 4
作者:
Arimochi, M
;
Watanabe, T
;
Yoshida, H
;
Tange, T
;
Nomachi, I
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2015/12/31