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Semiconductor laser and method for fabricating the same 专利  OAI收割
专利号: US7738525, 申请日期: 2010-06-15, 公开日期: 2010-06-15
作者:  UEDA, DAISUKE;  YURI, MASAAKI
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Optical coupling module and method for producing the same 专利  OAI收割
专利号: US5742720, 申请日期: 1998-04-21, 公开日期: 1998-04-21
作者:  KOBAYASHI, YASUHIRO;  MATSUDA, KENICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24
Optoelectronic integrated device 专利  OAI收割
专利号: US5679964, 申请日期: 1997-10-21, 公开日期: 1997-10-21
作者:  KOBAYASHI, YASUHIRO;  MATSUDA, KENICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US5513202, 申请日期: 1996-04-30, 公开日期: 1996-04-30
作者:  KOBAYASHI, YASUHIRO;  CHINO, TOYOJI;  MATSUDA, KENICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26
Optoelectronic semiconductor device with mesa 专利  OAI收割
专利号: US5408105, 申请日期: 1995-04-18, 公开日期: 1995-04-18
作者:  ADACHI, HIDEO;  MATSUDA, KENICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26
- 专利  OAI收割
专利号: JP1993030313B2, 申请日期: 1993-05-07, 公开日期: 1993-05-07
作者:  MATSUDA KENICHI;  ODANI JUN;  FUJITA TOSHIHIRO;  SERIZAWA AKIMOTO
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13
- 专利  OAI收割
专利号: JP1991011554B2, 申请日期: 1991-02-18, 公开日期: 1991-02-18
作者:  MATSUDA KENICHI;  FUJITA TOSHIHIRO;  ODANI JUN;  SERIZAWA AKIMOTO
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- 专利  OAI收割
专利号: JP1990062957B2, 申请日期: 1990-12-27, 公开日期: 1990-12-27
作者:  MATSUDA KENICHI;  FUJITA TOSHIHIRO;  ODANI JUN;  SERIZAWA AKIMOTO
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Semiconductor laser device having monolithically formed active and passive cavities on the same substrate 专利  OAI收割
专利号: US4899360, 申请日期: 1990-02-06, 公开日期: 1990-02-06
作者:  FUJITA, TOSHIHIRO;  OHYA, JUN;  MATSUDA, KENICHI;  SERIZAWA, HIROYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US4794608, 申请日期: 1988-12-27, 公开日期: 1988-12-27
作者:  FUJITA, TOSHIHIRO;  OHYA, JUN;  MATSUDA, KENICHI;  SERIZAWA, HIROYUKI
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