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Stress compensation type semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US5903587, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11
作者:  MIYASHITA, MOTOHARU
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor laser device and fabricating method thereof 专利  OAI收割
专利号: GB2301481B, 申请日期: 1997-10-08, 公开日期: 1997-10-08
作者:  SHOICHI, , KARAKIDA;  MOTOHARU, , MIYASHITA;  YUTAKA, , MIHASHI
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor laser and method of manufacture 专利  OAI收割
专利号: GB2310757A, 申请日期: 1997-09-03, 公开日期: 1997-09-03
作者:  TAKASHI, NISHIMURA;  SHOICHI, KARAKIDA;  MOTOHARU, MIYASHITA;  DIETHARD, MARX
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31
Pulsationslaser und Herstellungsverfahren dafür 专利  OAI收割
专利号: DE19629098A1, 申请日期: 1997-05-28, 公开日期: 1997-05-28
作者:  KARAKIDA SHOICHI;  MIHASHI YUTAKA;  MIYASHITA MOTOHARU
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: GB2305542A, 申请日期: 1997-04-09, 公开日期: 1997-04-09
作者:  MOTOHARU, MIYASHITA;  HIROTAKA, KIZUKI;  YASUAKI, YOSHIDA;  YUTAKA, MIHASHI;  YASUTOMO, KAJIKAWA
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
Halbleiterlaservorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung 专利  OAI收割
专利号: DE19546578A1, 申请日期: 1996-06-20, 公开日期: 1996-06-20
作者:  KAJIKAWA YASUTOMO;  KARAKIDA SHOUICHI;  KIZUKI HIROTAKTA;  MIHASHI YUTAKA;  MIYASHITA MOTOHARU
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31
Method for evaluating epitaxial layers and test pattern for process evaluation 专利  OAI收割
专利号: EP0632494A3, 申请日期: 1995-12-06, 公开日期: 1995-12-06
作者:  MIYASHITA, MOTOHARU, C/O MITSUBISHI DENKI K.K.;  OGASAWARA, NOBUYOSHI, C/O MITSUBISHI DENKI K.K.;  KIMURA, TADASHI, C/O MITSUBISHI DENKI K.K.
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31
Herstellungsverfahren eines Halbleiterlasers 专利  OAI收割
专利号: DE4435657A1, 申请日期: 1995-04-06, 公开日期: 1995-04-06
作者:  MIYASHITA MOTOHARU
  |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/31