中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [2]
2007 [1]
2006 [1]
1999 [1]
更多
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control
专利
OAI收割
专利号: US7781244, 申请日期: 2010-08-24, 公开日期: 2010-08-24
作者:
ITO, SHIGETOSHI
;
YUASA, TAKAYUKI
;
UETA, YOSHIHIRO
;
TANEYA, MOTOTAKA
;
TANI, ZENPEI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2019/12/24
GaN single crystal substrate and method of making the same
专利
OAI收割
专利号: US7521339, 申请日期: 2009-04-21, 公开日期: 2009-04-21
作者:
MOTOKI, KENSAKU
;
OKAHISA, TAKUJI
;
MATSUMOTO, NAOKI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus
专利
OAI收割
专利号: US7462882, 申请日期: 2008-12-09, 公开日期: 2008-12-09
作者:
UETA, YOSHIHIRO
;
TAKAKURA, TERUYOSHI
;
KAMIKAWA, TAKESHI
;
TSUDA, YUHZOH
;
ITO, SHIGETOSHI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Nitride semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US7327770, 申请日期: 2008-02-05, 公开日期: 2008-02-05
作者:
RYOWA, TATSUYA
;
ISHIDA, MASAYA
;
MORISHITA, YUKIKO
;
KAMIKAWA, TAKESHI
;
MOTOKI, KENSAKU
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/12/24
A method of producing a gallium nitride-type light emitting semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: EP1804305A1, 申请日期: 2007-07-04, 公开日期: 2007-07-04
作者:
MOTOKI, KENSAKU
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US7015058, 申请日期: 2006-03-21, 公开日期: 2006-03-21
作者:
TAKATANI, KUNIHIRO
;
ITO, SHIGETOSHI
;
YUASA, TAKAYUKI
;
TANEYA, MOTOTAKA
;
MOTOKI, KENSAKU
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2019/12/24
GAN single crystalline substrate and method of producing thesame
专利
OAI收割
专利号: CA2311132A1, 申请日期: 1999-05-14, 公开日期: 1999-05-14
作者:
MATSUMOTO, NAOKI
;
MOTOKI, KENSAKU
;
OKAHISA, TAKUJI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2020/01/18
Process for vapor phase epitaxy of compound semiconductor
专利
OAI收割
专利号: EP0801156A2, 公开日期: 1997-10-15
作者:
OKAHISA, TAKUJI, C/OSUMITOMO ELECTRIC IND. LTD.
;
SHIMAZU, MITSURU, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD
;
MATSUSHIMA, MASATO, SUMITOMO ELECTRIC IND. LTD.
;
MIURA, YOSHIKI, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.
;
MOTOKI, KENSAKU, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Method for producing structured substrate, structured substrate, method for producing semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting device, method for producing semiconductor device, semiconductor device, method for producing device, and device
专利
OAI收割
专利号: US20050227458A1, 公开日期: 2005-10-13
作者:
KOBAYASHI, TOSHIMASA
;
MOTOKI, KENSAKU
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/26